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 等离子刻蚀工艺 1 概述 2 等离子刻蚀基本原理 3 等离子刻蚀基本工艺 4 刻蚀后硅片检验 目 录 1.1 太阳能电池片生产工艺流程 分选测试 PECVD 一次清洗 二次清洗 烧结 印刷电极 等离子刻蚀 检验入库 扩散 概述 等离子刻蚀工艺的目的 概述 将PN结周边刻蚀 P型衬底 2.1 等离子体 等离子刻蚀基本原理 等离子体（Plasma）的含义 包含足够多的正负电荷数目近于相等的带电粒子的物 质聚集状态。 由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样 物质就变成由自由运动并相互作用的正离子和电子组成的混合物(蜡烛的火 焰就处于这种状态)。我们把物质的这种存在状态称为物质的第四态，即等 离子体(plasma)。因为电离过程中正离子和电子总是成对出现，所以等离 子体中正离子和电子的总数大致相等，总体来看为准电中性。 液态 固态 气态 等离子体 2.2 刻蚀机构 等离子刻蚀基本原理 射频电源辉光放电 辉光放电是由大量中等能量（15eV）的电子激发中性原子，电子返回基态 时释放的光辐射。 射频电源 2.2 刻蚀方程式 等离子刻蚀基本原理 为何处在等离子体环境下进行刻蚀 在我们的工艺中，是用CF4和O2来刻蚀扩散后的硅片，其刻蚀原理如下： CF4 = CFx* + (4-x) F* (x≤3) Si + 4 F* = SiF4 ↑ SiO2 + 4 F* = SiF4 + O2↑ 反应的实质，打破C-F、Si-Si键，形成挥发性的Si-F硅卤化物。 CΘF +Si ΘSi = Si-F + 17kcal/mol 反应需要一个净正能量，CF4本身不会直接刻蚀硅。等离子体高能量 的电子碰撞会使CF4分子分裂生产自由的氟原子和分子团，使得形成 SiF是能量有利的。 2.2 氧气的作用 等离子刻蚀基本原理 在CF4进气中加入少量氧气会提高硅和二 氧化硅的刻蚀速率。人们认为氧气与碳原 子反应生成CO2，这样从等离子体中去掉 一些碳，从而增加F的浓度，这些成为富氟 等离子体。往CF4等离子体中每增加12% 的氧气，F浓度会增加一个数量级，对硅的 刻蚀速率增加一个数量级。 3.1 工艺参数 等离子刻蚀基本原理 4.1 刻蚀后硅片检验 刻蚀好的硅片周边应光滑发亮. 到分选测试仪处，检查电池片的I-V曲线。 若出现如右侧所示的I-V曲线图， 则说明硅片的等离子刻蚀工艺有问题。 等级保护及等级化安全保障体系设计 卫士通信息产业股份有限公司 吴鸿钟 博士 2006年7月 提纲 卫士通对等级保护政策的理解 卫士通等级化安全保障体系设计的成功案例 总结 卫士通对等级保护政策的理解 等级保护是我国信息安全领域的一项基本政策 1994年，《中华人民共和国计算机信息系统安全保护条例》的发布 1999年，《计算机信息系统安全保护等级划分准则》 GB17859-1999发布 2003年，中央办公厅、国务院办公厅转发《国家信息化领导小组关于加强信息安全保障工作的意见》（中办发[2003]27号文） 2004年，四部委联合签发了《关于信息安全等级保护工作的实施意见 》（公通字[2004]66号文） 国务院信息化工作办公室发布《电子政务信息安全等级保护实施指南（试行）》 卫士通对等级保护政策的理解 等级保护是我国信息安全领域的一项基本政策 2005年12月，国家保密局发布《涉及国家秘密的信息系统分级保护管理办法》、《涉及国家秘密的信息系统分级保护技术要求》 2005年12月，公安部《信息系统安全等级保护实施指南》、《信息系统安全等级保护定级要求》、《信息系统安全等级保护基本要求》、《信息系统安全等级保护测评准则》（GB送审稿陆续出台） 2006年3月开始实施的公安部、国家保密局、国家密码管理局、国信办四部委（局办）发布7号文 《等级保护管理办法》 卫士通对等级保护政策的理解（续） 等级保护的核心是将传统的定性设计逐步进化为定量的安全保障设计 对信息系统实施不同等级的安全保护 对信息系统中使用的安全产品实施分等级管理 对信息系统发生的安全事件分等级响应和处置 等级保护体现了差异化的安全保障思想 由系统使命决定系统的等级，充分考虑业务信息安全性和业务服务保证性 结合基本要求，并依据风险评估的结果对安全保护措施进行调整 对3级及以上系统实施相应的监督和管理 对涉及国家安全、经济建设、社会稳定等方面的重要信息系统重点保护 对于涉及国家秘密的信息系统 规范定密，准确定级；依据标准，同步建设；突出重点，确保核心；明确责任