集成电路制造工艺-后段工艺整合.pptxVIP

后段工艺整合 后段工艺整合 集成芯片内的PMOS和NMOS器件制备完成后，需通过后段工艺将独立的元器件连接起来，形成具有一定逻辑功能的电路系统。 第一模块 CMOS后段工艺材料 1 2 CMOS后段工艺材料 隔离材料 一般采用绝缘的硅氧化物，如USG（非掺杂硅玻璃）、SiON、BPSG（硼磷硅玻璃）等，作用是隔离金属。 连接材料 Al、AlCu合金、W、Cu、Ag、Au等。 连接材料的电阻率（单位： μΩ∙Cm）分别是：铝 2.83，钨 5.48，铜 1.75，银 1.65，金 2.2。 钨可用作局部连接和金属塞。 铜的电阻率低，且具有低的价格、低的功耗、高的器件速度、较好的可靠性，可用作纳米级CMOS的金属连线；缺点是它与SiO2 的粘附性差，易于扩散，难于刻蚀。不能象铝一样，采用刻蚀铝的工艺形成金属连线，需采用新的工艺，即大马士革工艺。 1 2 CMOS后段工艺材料 淀积金属层介质（IMD） 采用光刻、刻蚀和硬掩膜版技术，在IMD层上形成连线图形。 1 2 CMOS后段工艺材料 依次淀积Ta、TaN和Cu。Ta/TaN层能提高Cu的粘附性，并阻止Cu的扩散。 使用化学机械抛光（CMP）技术，去除多余的铜，得到金属层连线。 第二模块 CMOS后段工艺 CMOS后段工艺 是指在器件与第一层金属之间形成的电隔离介质材料。 1 2 ILD层的材料 ILD常用氧化硅作为介质材料，如：USG、BPSG、SiON等。 ILD层的作用 ILD可以有效地隔离金属连线与器件，降低金属与衬底间的寄生电容，改善金属横跨不同区域形成的寄生场效应晶体管。 CMOS后段工艺 是指在ILD介质层上形成细小的垂直孔，它是器件与第一层金属层连接的通道。 1 2 接触孔的材料 通常采用金属钨（W），钨不易氧化和扩散，淀积钨可采用金属CVD技术，该技术具有优良的台阶覆盖率及对高深度比接触孔无间隙的填充。 接触孔的结构 由于钨与硅反应会形成低阻的欧姆接触，且钨与氧化物之间的粘附性很差，可先在接触孔壁上淀积Ti和TiN，从而达到阻止钨扩散，提高钨粘附性的目的。 CMOS后段工艺 形成金属互连线，把不同区域的接触孔或通孔连接起来。 1 2 金属层的材料 在亚微米、深亚微米CMOS工艺中，采用Ti、TiN和AlCu合金（98.5%的铝，1%的硅，0.5%的Cu）；在纳米CMOS工艺中采用Ta、TaN和Cu。 金属层的结构 对于亚微米、深亚微米CMOS器件，可依次淀积Ti、TiN和AlCu合金，然后采用光刻和刻蚀技术形成金属连线。对于纳米CMOS器件，可采用大马士革铜工艺。 CMOS后段工艺 层与层金属之间的介质材料，一般为氧化硅，如：SiO2。 1 2 CMOS后段工艺 是指在IMD层上形成金属层到金属层的连接通道。 1 2 通孔的材料 在亚微米、深亚微米CMOS工艺中采用Ti、TiN和W；在纳米CMOS工艺中采用Ta、TaN和Cu。 通孔的结构 对于亚微米、深亚微米CMOS器件，依次淀积Ti、TiN和W。对于纳米CMOS器件，常与上层的金属层同时制备，可采用大马士革铜工艺，依次淀积Ta、TaN和Cu。 CMOS后段工艺 淀积USG和Si3N4形成钝化层，且留出芯片引脚。可有效阻止水蒸气和可动离子的扩散，保护芯片受潮湿、划伤和粘污的影响。是芯片制造的最后一道工序，一般在顶金工艺之后。 1 2 在CMOS的后段工艺中，需要多层的金属层、金属介质层和通孔才能够满足独立器件的互连要求，将有晶圆流片厂家向芯片设计者提供技术节点的最多层数。 课程小结 课后思考 后段工艺中，钝化层的作用。 THANKS