集成电路制造工艺-光刻工艺流程.pptxVIP

光刻工艺流程 光刻工艺流程 集成电路的光刻技术是在光或电子束的作用下，把母版（掩膜版）上的图像转移到晶圆的过程，是集成电路制造的核心技术。 光刻示意图 第一模块 光刻工艺的过程 1 2 光刻的过程 底膜 处理 涂胶 前烘 曝光 显影 坚膜 刻蚀 去胶 1 2 去除污染物，去除颗粒，减少针孔和其它缺陷，提高光刻胶的黏附性。基本步骤是化学清洗、漂洗、烘干、用二甲基二氯硅烷和六甲基硅亚胺增黏处理。 可使用甩胶机，将光刻胶均匀涂覆在晶圆表面。 光刻的过程 1 2 可使用烘箱，让胶膜内的溶剂挥发，增加光刻胶与衬底间的黏附性、光吸收以及抗腐蚀能力。 在光刻机上，让掩膜版与有光刻胶的晶圆对准，使光刻机的光源经过掩膜版照射在晶圆上。 光刻的过程 1 2 用显影液去掉不需要的光刻胶，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上。 使用烘箱，对显影后的基片进行烘烤，让残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与晶圆表面的黏附性以及光刻胶的抗腐蚀能力。 光刻的过程 1 2 采用干法或湿法刻蚀技术，将涂胶前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分去除掉，将光刻胶上的图形转移到其下层材料上。 刻蚀完成后，光刻胶薄膜已不再使用，用化学清洗试剂将胶和刻蚀过程中残留的试剂完全清除掉。 光刻的过程 第二模块 光刻工艺的关键技术 1 2 光刻工艺的关键技术 1 2 光刻胶，又称为光致抗蚀剂，是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受特定波长光线作用后，其化学结构发生变化，在某种特定的显影液中，它的溶解特性发生改变。 光刻的过程 1 2 【光刻胶分类】 按在显影液中被去除还是保留划分： 正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶。 反胶：曝光前可溶，曝光后不可溶。 光刻的过程 正胶 反胶 1 2 掩膜版又称光罩、光刻掩膜版等。掩膜版上刻有电路的图形，光刻时能让光透过或不透过掩膜版，为光刻胶的曝光提供光图形。其功能类似于传统照相机的“底片”。 光刻的过程 【掩膜版的制作】 制造商将版图设计工程师交付的标准制版数据传送到图形发生器设备，图形发生器根据数据产生图形，并将图形分层转移到光刻掩膜版上。 1 2 【掩膜版的质量要求】 图像质量高，图形尺寸准确，图形不能有畸变。 各掩膜版间要能精准套准，对准误差尽可能小。 图形边缘清晰、过渡小、无毛刺。透光部分对光的吸收小，遮光部分能阻挡各类光线通过。 掩膜版表面光洁，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版坚固耐磨，不宜变形。 光刻的过程 1 2 光刻机又名曝光系统，光刻系统等，是将光束透射过画有线路图的掩膜版，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到光刻胶上的设备，是我国高端集成电路制造急需突破的核心技术。 著名的光刻机厂家有：ASML、Nikon、Canon。 光刻的过程 课程小结 课后思考 光刻工艺的流程有哪些？