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晶体振荡器的应用 石英晶体作为滤波、振荡元件已广泛应用在广播通讯、电子测量、航空、航天等方面。其发展历史只有短短几十年,美国是发展石英晶体最早的国家,而像cornign这样的老牌公司也只是在1941年才注册成立。最近一、二十年来,由于pcs、gsm、gps、pdc、cdma等诸多移动通讯技术的需求,石英晶体振荡器中的石英晶体谐振器不再是单一元件,它已发展成为组件,而且几乎全部以集成化、全集成化、全数字化形式展现出来,体积比过去缩小了数倍乃至数十倍。2晶体振荡器的组成和分类2.1晶体振荡器的组成 晶体振荡器由晶体振荡电路和输出电路两部分构成。2.1.1振荡电路 晶体振荡器电路分成并联晶体振荡电路和串联晶体振荡电路,常用并联晶体振荡电路。晶体工作在串联谐振频率ωs和并联谐振频率ωp之间,即为呈现出容抗。而震荡性能的好坏由晶体的品质、研磨价值观念、振子结构及振荡电路共同同意。图1为at研磨和sc研磨的频率温度特性曲线。可以窥见,sc研磨复齿脂的静态和动态f－t稳定性、较好的老化率为和增益噪声,但缺点就是频率牵引灵敏度高、成本高。 最常用的振荡电路是集电极交流接地的考毕兹振荡电路（如图2所示）。此电路的优点是电路简单、可靠、稳定。 2.1.2输入电路 输出电路的作用是对振荡获得的正弦信号进行缓冲、放大、整形,得到图3所示的标准输出电平,驱动负载或后级门电路。这里,还经常用到逻辑电平转换电路和分频、倍频电路。 其输入正弦波电平用vp-p、vrms或dbm则表示,dbm的排序式为：dbm10log( )必要时,还须1mw 标明谐波遏制比。方波或矩形波输入电平应当标明ttl、cmos、hcmos还是ecl、直流分量值，并且则表示出来充电电流、上升时间、下降时间等其它适当参数。 标准输出负载为50ω、1kω、10kω∥10pf或用驱动几个门电路表示,如驱动2个门,5个门电路。对晶体振荡器的噪声系数有特殊要求时,则应严格设计振荡、放大电路及电源。譬如主振选用低噪声管、低噪声压控电压并使振荡在低电压工作,各级电路必须匹配以保证无反射、辐射。2.2晶体振荡器常用标频、术语及电源 2.2.1晶体振荡器常用标频（mhz,包含倍频/分频） 1.64，4.096，5，5.2，6.4，7.68，9.6，10，12，12.8，13，15，16.384，18.432，19.2，20，26，30，32.768，38.88，40.96，51.2，60，70，80，91.2，100。2.2.2术语标称频率工作温度范围频率温度稳定度 功率频率允差电压频率允差短期频率稳定性日老化年老化压控电压压控线性度压往下压灵敏度基准温度起始精度再生制动电流稳态电流增益噪声2.2.3电源 晶体振荡器应选用稳压性能好、温度漂移小的直流电源。输入电压变化±5％或±10％时,输出电压在10ppm/℃～100ppm/℃之间。常用电源电压为3.3v、5v、9v、12v、24v、－5.2v或－5v。2.3晶体振荡器的分类 根据振荡电路调频,稳频方法将晶体振荡器分成以下5种：2.3.1普通晶体振荡器pxo（packagedx＇talosillator） 晶体振荡频率固定,频率温度性能主要由晶体温度性能决定的晶体振荡器被称为简式晶振。其电路简单,但频率稳定度低,常用作时钟振荡器。晶体等效电路如图4所示,通常l：10mh～1000mhc:0.0002pf～0.1pfr： 串联谐振频率ωs和并联谐振频率ωp分别为ωs= ,可达10～10,加上稳定的电路,可轻易地获得1×10的频率温度稳定度。 2.3.2压控晶体振荡器vcxo（voltagecontrolledx＇talosillator） 用调节外电压的方法改变晶体串联的变容管结电容以牵引振荡频率,称为压控晶振。其可用频率范围为 通过额外温度补偿网络,并使环境温度变化后晶体串联电路电容逆向变化,以抵销晶体所产生的频率—温度飘移。参看图5温度补偿曲线,ⅰ为at切型晶体频率—温度特性曲线,ⅱ为晶体串联电路补偿曲线,ⅲ为补偿后的晶体振荡器频率—温度特性曲线。根据补偿网络及其所接边线,将温补晶振分成轻易补偿和间接补偿晶振。 热敏电阻、电阻和电容组成温补网络,直接串接在晶体电路。2）间接补偿 它分成模式式、数字式两种。——模拟式 基准电压通过电阻、热敏电阻构成的补偿网络,产生随温度而变的电压直接驱动作为晶体负载电容的变容二极管，反向补偿晶体频率－温度特性。这种补偿能够在－40℃～＋85℃宽温范围内获得较好的补偿效果,目前应用最为广泛,并已将它作成专用集成电路芯片。——数字式