《集成电路基本工艺》.ppt

集成电路设计基础;第3章 IC制造工艺;3.1 外延生长(Epitaxy);1.液态生长(LPE: Liquid Phase Epitaxy);2.气相外延生长(VPE: Vapor Phase Epitaxy);Si基片的卤素生长外延;3.金属有机物气相外延生长（MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）;4.分子束外延生长 (MBE: Molecular Beam Epitaxy);英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片 ;第3章 IC制造工艺;3.2 掩膜(Mask)的制版工艺;0.18?m工艺结构;什么是掩膜？; 整版及单片版掩膜;早期掩膜制作方法;Wafer;整版和接触式曝光;2. 图案发生器方法(PG: Pattern Generator);图案发生器方法(续);3. X射线制版 ;4. 电子束扫描法(E-Beam Scanning);电子束光刻装置: LEICA EBPG5000+;电子束制版三部曲;电子束扫描法(续);第3章 IC制造工艺;3.3 光刻原理与流程;3.3.1 光刻步骤;正性胶与负性胶光刻图形的形成;涂光刻胶的方法;3.3.2 曝光方式;曝光系统;接触式曝光方式的图象偏差问题;掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素;非接触式光刻;缩小投影曝光系统;缩小投影曝光系统示意图;缩小投影曝光系统的特点;第3章 IC制造工艺;;第3章 IC制造工艺;3.5 淀积与刻蚀;湿法刻蚀;干法刻蚀—分为：等离子体刻蚀,反应离子刻蚀RIE等;第3章 IC制造工艺;3.6 掺杂原理与工艺;1.热扩散掺杂;2.离子注入法;离子注入机;离子注入机工作原理;注入法的优缺点;本章练习题