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第1节 低噪声放大器指标 第1节低噪声放大器指标 第1节低噪声放大器指标 第1节低噪声放大器指标 低噪声放大器（lna）是射频接收机前端的主要部分。 它主要存有四个特点。 1）它位于接收机的最前端，这就要求它的噪声越小越好。为了抑制后面各级噪声对系统的影响，这要求有一定的增益，但为了不使后面的混频器过载，产生非线性失真，它的增益又不能过大。放大器在工作频段内应该是稳定的。 2）它所发送的信号就是很些微的，所以低噪声放大器必定就是个大信号放大器。而且由于受到传输路径的影响，信号的高低又就是变化的，在发送信号的同时又可能将充斥着很多弱信号的阻碍，因此建议放大器存有足够多小的线性范围，而且增益最出色就是可以调节的。 3）低噪声放大器一般通过传输线直接和天线或者天线的滤波器相连，放大器的输入端必须和它们很好的匹配，以达到功率最大传输或者最小的噪声系数，并能保证滤波器的性能。 4）低噪声放大器必须具备一定的选频功能，遏制charged和镜像频率阻碍，因此它通常就是频带放大器。 低噪声放大器的所有指标都是互相牵连的，甚至是相互矛盾的。这些指标不仅取决于电路的结构，对集成电路来说，还取决于工艺技术。在设计中如何采用折衷的原则，兼顾各项指标，是很重要的。 lna就是大信号放大器，必须给它设置一个静态偏置。而降低功耗的显然办法就是使用高电源电压、高偏置电流，但充斥的结果就是晶体管的跨导增大，从而引发晶体管及放大器的一系列指标的变化。 2）工作频率 放大器所能够容许的工作频率和晶体管的特征频率ft有关。增大偏置电流的结果可以并使晶体管的特征频率减少。在集成电路中，减小晶体管的面积可以并使极间电容减少，这也减少了特征频率。 任何一个线性网络的噪声系数可以表示为： 对于共射组态的单管双极型晶体管放大器的噪声系数又可以则表示为： 和是网络的输入端的等效噪声电压源和等效噪声电流源。 对于单管共源mos场效应管放大器，当仅考量导线噪声时，场效应管放大器噪声系数为： 由此可见两点： a.放大器的噪声系数和工作点有关，为了降低功耗而使用大电流偏置，结果就是减小了噪声系数。 b.晶体管放大器的噪声与基区体电阻有关，为了降低噪声，在集成电路设计时，可以用增大晶体管的面积来减小基区体电阻，但增大面积会 加强极间电容。 低噪声放大器的增益要适中。过大会使下级混频器的输入太大，产生失真。但为了抑制后面各级的噪声对系统的影响，其增益又不能太小。 放大器的增益首先与管子跨导有关。其次放大器的增益还与功率有关。低噪声放大器就是频带放大器，它的选频功能由其功率同意。 5）增益控制 低噪声放大器的增益最出色就是可以掌控的。在通信电路中，掌控增益的方法通常存有如下几种：发生改变放大器的工作点，发生改变放大器的负反馈量，发生改变放大器的谐振电路的q值等。这些发生改变都就是可以通过载波电平检测电路产生自动增益掌控电压去同时实现的。 6）输入阻抗匹配 低噪声放大器与其信号源的相匹配时很关键的。放大器与源的相匹配存有两种方式：一就是以赢得噪声系数最轻为目的的噪声相匹配；二是以赢得最小功率传输和最轻散射损耗为目的的共轭相匹配。一般来说，现在多使用后一种相匹配方法。 匹配网络可以是纯电阻网络，也可以采用电抗网络。电阻网络适合于宽带放大，但它们要消耗功率，并增加噪声。采用无损耗的电抗匹配网络不会增加噪声，但只适合窄带放大。 7）线性范围 线性范围主要由三阶互调截点iip3和1db压缩点来度量。放大器的线性范围和器件、电路结构以及输入端的阻抗匹配网络都有关系。 8）隔离度和稳定度 增大低噪声放大器的反向隔离度可以减小本振信号从混频器向天线的泄漏程度。 引发逆向传输的根本原因是晶体管的集电极和基极间的极间电容以及电路中的真菌参数的影响，它们也就是导致放大器不稳定的原因。 提高稳定性的有效措施有采用中和电容或者晶体管共发共基（或者共源共栅）结构。 第2节低噪声放大器的设计 无论采用bipolar、bi-cmos或gaasfet工艺技术设计低噪声放大器，其电路结构都是差不多的，都是由晶体管、偏置、输入匹配和负载四大部分组成。 下面将使用实际的例子去展开设计和分析。 例4.11.9ghz的cmos低噪声放大器。 如下图4.1右图就是1.9gh0、6um工艺的cmos低噪声放大器的电路原理图。 图4.11.9gh0、6um工艺的cmos低噪声放大器的电路原理图 这个电路的特点就是：