《半导体实验》实验教学（及含实验学分课程）大纲（模板）.docVIP

《半导体实验》实验教学（及含实验学分课程）大纲 一、课程基本情况 课程编号：082P14A 学分：2 周学时：3 总学时：51 开课学期：2.2 开课学院：理学院 课程英文名称： 适用专业：微电子学专业 课程类别：专业教育平台课 课程修读条件：半导体物理与器件1 实践方式：实验 网络课程地址: 课程负责人： 所属基层学术组织：微电子科学与工程系 二、课程简介 本课程具有较强的实践指导意义。通过一系列有关半导体器件的实验教学环节，培养学生独立完成半导体器件工艺仿真、参数测试和分析等方面的实践动手能力，巩固和强化现代微电子技术相关知识，充分掌握半导体器件的测试分析方法，提升学生在微电子技术领域的竞争力，培养学生灵活运用理论知识解决实际问题的能力，锻炼学生分析、探讨和总结实验结果的能力。 三、教学目标、任务 通过本课程的学习，要求学生熟悉并掌握半导体器件的制备工艺流程，熟悉半导体器件工艺仿真软件；掌握半导体器件的参数测量与分析方法，并会用相应的仪器设备进行半导体器件测试分析。 要求学生掌握双极型晶体管直流参数的测量原理与测量方法；掌握MOS场效益晶体管基本参数的含义及其各个参数的测量方法；掌握晶体管特征频率FT的工作原理和测量方法；掌握晶体管开关时间的定义和开关时间的测量方法；掌握晶体管瞬态热阻的测量原理和测量方法；掌握晶体管稳态热阻的测量方法及其在器件测量中的意义；掌握双极型运算放大器功能与参数的含义和及运放参数的测量方法；掌握半导体器件PN结C-V特性测量方法，并分析其曲线特性；掌握半导体少数载流子寿命的含义及其测量方法。 四、教学方法与基本要求 学生2人一组，每组一套实验仪器；课程以教师讲解，学生实际动手操作以及师生讨论的形式实施。 在理论课程的学习基础上，通过大量实验，要求学生掌握半导体器件参数的测量原理、测量方法和分析方法，掌握半导体器件参数测试设备的使用。 五、主要内容及学时分配 序号 实验项目名称 主要内容 实验类型 实验类别 时数 每组人数 (或上机类型) 1 晶体管工艺仿真 熟悉双极型晶体管和场效应晶体管的工艺流程与设计规则；了解器件版图设计过程；掌握工艺仿真软件的基本操作；学会使用仿真软件对器件特性进行评估。 上机 专业 17 20 2 双极型晶体管直流参数的测量 理解晶体管直流输入、输出特性、反偏及击穿特性，掌握相关参数的测量方法；了解晶体管特性图示仪原理，掌握其使用方法。 验证 专业 4 2 3 MOS场效益晶体管基本参数的测量 VP，IDSS，BVDS，gm，RGS，IDSP等直流参数的测量。理解MOS场效应管VP，IDSS，BVDS，gm，RGS，IDSP等直流参数的意义和测量方法；掌握MOS场效应管参数测试仪的使用方法。 验证 专业 4 2 4 晶体管特征频率FT的测量 理解晶体管特征频率FT的工作原理，掌握晶体管FT的测量方法，掌握晶体管特征频率测试仪的使用方法。 验证 专业 3 2 5 半导体少子寿命的测量 用半导体少子寿命测试仪测量硅片的少子寿命。理解半导体少子寿命的含义及其测量的方法和测量原理，掌握半导体少子寿命测量仪的使用方法。 综合 专业 4 2 6 晶体管开关时间的测量 根据定义在输入波形和输出波形得到延迟时间td、上升时间tr、开启时间ton及存贮时间ts、下降时间tf、关闭时间toff。理解晶体三极管的开关特性，掌握晶体管开关特性参数的测量方法和晶体管开关参数测试仪的使用方法。 综合 专业 3 2 7 晶体管瞬态热阻的测量 测量结温变化量ΔTJ和脉冲宽度τ的关系，做出瞬态热阻随时间的变化曲线。理解晶体管瞬态热阻的含义。掌握晶体管瞬态热阻的测量方法和晶体管热阻抗测试系统的使用方法。 综合 专业 4 2 8 晶体管稳态热阻的测量 熟悉用热敏参数测量结温的原理；研究瞬态热阻和测试条件的关系。掌握晶体管稳态热阻定义及其与晶体管可靠性的关系，掌握稳态热阻RT的测试方法和晶体管热阻抗测试系统的使用方法。 综合 专业 4 2 9 双极型运算放大器功能与参数的测量 测量双极型运放的失调电压、失调电流、开环增益、开环差模输入电阻、开环输出电阻、共模抑制LC、最大共模输人电压等参数。理解双极型运算放大器参数原理，掌握双极型运算放大器参数的测量方法。 综合 专业 4 2 10 半导体器件PN结C-V特性测量 理解半导体器件PN结C-V特性，掌握C-V曲线的测量方法，绘制C-V曲线，分析C-V特性规律特性。掌握C-V特性测量仪的使用方法。 综合 专业 4 2 注： 1.实验类型：演示、验证、操作、综合、设计、研究； 上机类型：单项训练、综合训练。 2.实验类别：指基础、专业基础、专业。 六、考核及成绩评定方式 实验成绩评定标准： 考查