《半导体物理与器件1》课程教学大纲（模板）.pdfVIP

《半导体物理与器件 1》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程编号: 082N09Y; 学分：3; 周学时：3; 总学时：51; 开课学期：2.1 开课学院：理学院 英文名称：semiconductor physics and devices 1 适用专业：微电子科学与工程 课程类别：专业教育平台课 课程修读条件：具备大学物理基础知识 网络课程地址: 课程负责人：; 所属基层学术组织: 微电子科学与工程系 二、课程简介 课程内容概要、修读意义: 本课程讲授的内容包括半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半 导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、p-n 结、金属与半导 体的接触、半导体表面、异质结等。本课程是微电子科学与工程专业的基础课程， 是学位课。 本课程与其它课程的关系：本课程是学习其他专业课程的基础。 三、教学目标 《半导体物理与器件 1》是面向微电子科学与工程专业本科生所开设的一门专 业基础课，是培养方案中的学位课程之一。开设的目的是使学生熟悉半导体物理 的基础理论、半导体的主要性质，以适应后续专业课程的学习和将来工作的需要。 四、教学内容及学时分配 （应体现教学单元的教学目标、基本内容、学时分配、教学方法、课外 学习任务及要求等内容） 第一章：半导体中的电子状态 （4 学时） 1． 补充固体周期性结构和能带概念（2 学时） 2． 半导体中电子的状态及其运动规律, 电子的有效质量（2 学时） 要求：理解能带理论以及从能带理论的角度分析导体、半导体和绝缘体的导电机 制； 熟悉半导体中电子的状态及其运动规律； 理解空穴的概念及其基本特征量。 第二章：半导体中杂质和缺陷能级（4 学时） 1． 半导体中杂质的分类及其对半导体性能的影响（2 学时） 2． 介绍半导体晶格结构的不完整性——缺陷（2 学时） 要求：熟悉实际半导体中的杂质和缺陷的种类、性质及其作用； 了解杂质的补偿作用以及浅能级杂质的理论模型——类氢模型。 第三章：半导体中载流子的统计分布（8 学时） 1．电子的状态密度以及载流子的统计分布（2 学时） 2．非简并半导体中载流子的浓度（4 学时） 3．习题讨论（2 学时） 要求：掌握允许的量子状态按能量如何分布以及电子在允许的量子态中的如何分 布的问题；掌握并且会计算载流子的浓度问题； 第四章：半导体的导电性（6 学时） 1．载流子的漂移运动及其相关概念的介绍（2 学时） 2．载流子的散射概念（2 学时） 3．迁移率、电阻率随温度和杂质浓度的变化关系（2 学时） 要求：掌握和漂移运动相关的基本概念 了解迁移率、电阻率随温度和杂质浓度的变化关系。 第五章：非平衡载流子（8 学时） 1．非平衡载流子的概念及其寿命（2 学时） 2．准 Femi 能级（2 学时） 3．复合理论（2 学时） 4．习题讨论（2 学时） 要求：掌握非平衡载流子的概念、产生及其随时间的演化规律（寿命问题）； 掌握非平衡态时电子和空穴分别满足的准 Femi 能级以及对平衡态时 Femi 能级的 偏离； 掌握几种复合理论；熟练掌握间接复合理论； 第六章：p-n 结（8 学时） 1．p-n 结及其能带图（2 学时） 2．p-n 结的整流理论以及电容—电压特性（2 学时） 3．p-n 结中的隧道效应以及 p-n 结的击穿机理（2 学时） 4．习题讨论（2 学时） 要求：理解和熟悉 p-n 结及其能带图； 掌握 p-n 结的电流—电压特性以及电容—电压特性； 掌握 p-n 结的三种击穿机理； 第七章：金属与半导体的接触（6 学时） 1．金属—半导体接触及其能带图（2 学时） 2．能带图 （2 学时） 3．金属—半导体接触的整流理论以及少数载流子的注入和欧姆接触（2 学时） 要求：理解和掌握金属—半导体接触及其能带图； 掌握金属—半导体接触的整流理论（扩散理论和热电子发射理论）； 熟悉欧姆接触的概念及其实际实现。 第八章：半导体表面（4 学时） 1．表面态（悬挂键）的概念 (2学时) 2．表面电场效应及表面电导（2 学时） 要求：掌握分别从能带理论角度和从化学键角度提出的表面态的概念以及有表面 态存在时半导体的能带图；掌握表面电场效应以及存在表面电场时载流子的堆积、 耗尽和反型三种状态； 第九章：异质结 （3 学时） 异质结的概念、标记及其能带图（2 学时） 习题讨论（1 学时） 要求：掌握异质结的概念、标记规则以及能带图。