《半导体物理与器件2》课程教学大纲（模板）.pdfVIP

《半导体物理与器件 2》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程编号：082N10Y 学分：3 周学时：3 总学时：51 开课学期：2.2 开课学院：理学院 英文名称：Semiconductor physics and devices 2 适用专业：微电子科学与工程 课程类别：专业教育平台课 课程修读条件：先修课程《半导体物理与器件 1》 网络课程地址: 课程负责人： 所属基层学术组织：微电子科学与工程系 二、课程简介 本课程是微电子科学与工程专业的基础课。本课程主要内容以课堂主讲为主， 同时进行课堂讨论的方式，尽量使所有的学生都参与实际问题解决。本课程目的 是让学生了解重要半导体器件的基础构成、工作原理、应用领域等，这些器件包 括双极型晶体管及其相关器件即二极管、双极型晶体管、MOSFET 器件等。通过课 程讲解，作业练习和课堂讨论，以各种器件在热平衡状态的能带图为出发点，在 认识常见半导体器件的物理基础，如 MIS 结构、M-S 接触等，着重让学生理解各 种半导体器件的物理原理。本课程同时也是本专业其他后续课程 （如 《模拟 CMOS 集成电路设计》、《晶体管原理》等）的先修课程。 三、教学目标 本课程是微电子科学与工程的专业基础课程之一，在《半导体物理与器件 1》 的基础上展开 PN 结、场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本理论。学生在学 习本课程后，应掌握空间电荷区的形成、内建电场和扩散电势差、正反向电压下 PN 结能带图与电流电压特性、PN 结的击穿机制、雪崩击穿的概念及击穿电压的计算； 掌握双极性晶体管的工作原理、电流放大倍数、寄生电容电阻、小信号模型和最 高振荡频率的计算方法；掌握 MOSFET 工作机制、阈值电压和电流电压特性的推导 过程，了解短沟道效应和深亚微米下 MOSFET 性能提升技术。 四、教学内容及学时分配 基本半导体方程（5 学时）： 掌握一维形式的泊松方程、电子与空穴的电流密度方程、电子与空穴的连续性 方程、爱因斯坦关系，掌握基本半导体方程的主要简化形式。 PN 结（13 学时）： 了解突变结与线性缓变结、PN 结的平衡状态，理解空间电荷区的形成，了解 耗尽近似的适用性，掌握内建电场与扩散电势差、PN 结在正向及反向电压下的能 带图、少子分布与伏安特性，理解正向导通电压、大注入效应，掌握 PN 结的击穿 特性、PN 结的势垒电容与扩散电容、交流小信号参数与等效电路、PN 结的开关特 性。 这部分内容的重点是 PN 结空间电荷区的形成、耗尽层宽度与扩散电势差的推 导与计算、PN 结伏安特性的推导、势垒电容与扩散电容的概念及其计算、PN 结的 交流小信号参数与等效电路、少子存储效应、雪崩击穿的概念及击穿电压的计算。 这部分内容的难点是 PN 结内建电场的计算、少子分布的推导与少子分布图、大注 入时的内建电场、扩散电容表达式的推导、雪崩倍增因子的推导等。 双极型晶体管（16 学时）： 了解均匀基区与缓变基区，理解晶体管的基区输运系数与发射结注入效率，掌 握晶体管的直流电流放大系数，理解发射区重掺杂效应，了解异质结双极晶体管、 倒向晶体管，掌握晶体管直流输入输出特性方程及特性图、基区宽度调变效应、 晶体管的各种反向电流与击穿电压、理解基极电阻，掌握交流小信号基区输运系 数注入效率电流放大系数等随频率的变化关系，理解交流小信号电流电压方程及 等效电路、掌握高频晶体管的特征频率、最大功率增益与最高振荡频率。 这部分内容的重点是均匀基区与缓变基区晶体管的直流电流放大系数、晶体管 的直流电流电压方程及其简单应用、晶体管中的各种反向电流和各种击穿电压、 交流小信号电流放大系数与频率的关系、特征频率以及与之有关的 4 个主要时间 常数、晶体管的交流小信号电流电压方程与等效电路、功率增益和最高振荡频率。 这部分内容的难点是晶体管内部的电流变化情形、缓变基区晶体管的电流密度与 载流子分布、方块电阻与注入效率的关系、基区宽度随集电结电压的变化率、高 频下基区输运系数的精确公式、集电结耗尽层延迟时间、交流小信号电流电压方 程的建立、影响特征频率与功率增益的各种因素等。 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）（17 学时）： 理解 MOSFET 的基本结构与工作原理，掌握 MOSFET 的阈值电压、非饱和区的 直流输出特性方程、饱和漏源电压与饱和漏极电流，理解有效沟道长度调制效应， 了解 MOSFET 的亚