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《半导体实验》实验教学 (及含实验学分课程)大
纲
一、课程基本情况
课程编号:082P14A 学分:2 周学时:3 总学时:51 开课学期:2.2
开课学院:理学院
课程英文名称:
适用专业:微电子学专业
课程类别:专业教育平台课
课程修读条件:半导体物理与器件 1
实践方式:实验
网络课程地址:
课程负责人: 所属基层学术组织:微电子科学与工程系
二、课程简介
本课程具有较强的实践指导意义。通过一系列有关半导体器件的实验教学环
节,培养学生独立完成半导体器件工艺仿真、参数测试和分析等方面的实践动手
能力,巩固和强化现代微电子技术相关知识,充分掌握半导体器件的测试分析方
法,提升学生在微电子技术领域的竞争力,培养学生灵活运用理论知识解决实际
问题的能力,锻炼学生分析、探讨和总结实验结果的能力。
三、教学目标、任务
通过本课程的学习,要求学生熟悉并掌握半导体器件的制备工艺流程,熟悉
半导体器件工艺仿真软件;掌握半导体器件的参数测量与分析方法,并会用相应
的仪器设备进行半导体器件测试分析。
要求学生掌握双极型晶体管直流参数的测量原理与测量方法;掌握 MOS 场效
益晶体管基本参数的含义及其各个参数的测量方法;掌握晶体管特征频率FT 的工
作原理和测量方法;掌握晶体管开关时间的定义和开关时间的测量方法;掌握晶
体管瞬态热阻的测量原理和测量方法;掌握晶体管稳态热阻的测量方法及其在器
件测量中的意义;掌握双极型运算放大器功能与参数的含义和及运放参数的测量
方法;掌握半导体器件 PN 结 C-V 特性测量方法,并分析其曲线特性;掌握半导体
少数载流子寿命的含义及其测量方法。
四、教学方法与基本要求
学生 2 人一组,每组一套实验仪器;课程以教师讲解,学生实际动手操作以
及师生讨论的形式实施。
在理论课程的学习基础上,通过大量实验,要求学生掌握半导体器件参数的
测量原理、测量方法和分析方法,掌握半导体器件参数测试设备的使用。
五、主要内容及学时分配
实验类型
实验项目
序号 主要内容 (或上机 实验类别 时数 每组人数
名称
类型)
熟悉双极型晶体管和场效应晶体管
的工艺流程与设计规则;了解器件
晶体管工
1 版图设计过程;掌握工艺仿真软件 上机 专业 17 20
艺仿真
的基本操作;学会使用仿真软件对
器件特性进行评估。
双极型晶 理解晶体管直流输入、输出特性、
体管直流 反偏及击穿特性,掌握相关参数的
2 验证 专业 4 2
参数的测 测量方法;了解晶体管特性图示仪
量 原理,掌握其使用方法。
VP,IDSS,BVDS,gm,RGS,IDSP
MOS 场效 等直流参数的测量。理解 MOS 场效
益晶体管 应管 VP,IDSS,BVDS,gm,RGS,IDSP
3 验证 专业 4 2
基本参数 等直流参数的意义和测量方法;掌
的测量 握 MOS 场效应管参数测试仪的使用
方法。
晶体管特 理解晶体管特征频率 FT 的工作原
征频率 理,掌握晶体管 FT
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