《半导体物理与器件2》课程教学大纲（模板）.docVIP

《半导体物理与器件2》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程编号：082N10Y 学分：3 周学时：3 总学时：51 开课学期：2.2 开课学院：理学院 英文名称：Semiconductor physics and devices 2 适用专业：微电子科学与工程 课程类别：专业教育平台课 课程修读条件：先修课程《半导体物理与器件1》 网络课程地址: 课程负责人： 所属基层学术组织：微电子科学与工程系 二、课程简介 本课程是微电子科学与工程专业的基础课。本课程主要内容以课堂主讲为主，同时进行课堂讨论的方式，尽量使所有的学生都参与实际问题解决。本课程目的是让学生了解重要半导体器件的基础构成、工作原理、应用领域等，这些器件包括双极型晶体管及其相关器件即二极管、双极型晶体管、MOSFET器件等。通过课程讲解，作业练习和课堂讨论，以各种器件在热平衡状态的能带图为出发点，在认识常见半导体器件的物理基础，如MIS结构、M-S接触等，着重让学生理解各种半导体器件的物理原理。本课程同时也是本专业其他后续课程（如《模拟CMOS集成电路设计》、《晶体管原理》等）的先修课程。 三、教学目标 本课程是微电子科学与工程的专业基础课程之一，在《半导体物理与器件1》的基础上展开PN结、场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本理论。学生在学习本课程后，应掌握空间电荷区的形成、内建电场和扩散电势差、正反向电压下PN结能带图与电流电压特性、PN结的击穿机制、雪崩击穿的概念及击穿电压的计算；掌握双极性晶体管的工作原理、电流放大倍数、寄生电容电阻、小信号模型和最高振荡频率的计算方法；掌握MOSFET工作机制、阈值电压和电流电压特性的推导过程，了解短沟道效应和深亚微米下MOSFET性能提升技术。 四、教学内容及学时分配 基本半导体方程（5学时）： 掌握一维形式的泊松方程、电子与空穴的电流密度方程、电子与空穴的连续性方程、爱因斯坦关系，掌握基本半导体方程的主要简化形式。 PN结（13学时）： 了解突变结与线性缓变结、PN结的平衡状态，理解空间电荷区的形成，了解耗尽近似的适用性，掌握内建电场与扩散电势差、PN结在正向及反向电压下的能带图、少子分布与伏安特性，理解正向导通电压、大注入效应，掌握PN结的击穿特性、PN结的势垒电容与扩散电容、交流小信号参数与等效电路、PN结的开关特性。 这部分内容的重点是PN结空间电荷区的形成、耗尽层宽度与扩散电势差的推导与计算、PN结伏安特性的推导、势垒电容与扩散电容的概念及其计算、PN结的交流小信号参数与等效电路、少子存储效应、雪崩击穿的概念及击穿电压的计算。这部分内容的难点是PN结内建电场的计算、少子分布的推导与少子分布图、大注入时的内建电场、扩散电容表达式的推导、雪崩倍增因子的推导等。 双极型晶体管（16学时）： 了解均匀基区与缓变基区，理解晶体管的基区输运系数与发射结注入效率，掌握晶体管的直流电流放大系数，理解发射区重掺杂效应，了解异质结双极晶体管、倒向晶体管，掌握晶体管直流输入输出特性方程及特性图、基区宽度调变效应、晶体管的各种反向电流与击穿电压、理解基极电阻，掌握交流小信号基区输运系数注入效率电流放大系数等随频率的变化关系，理解交流小信号电流电压方程及等效电路、掌握高频晶体管的特征频率、最大功率增益与最高振荡频率。 这部分内容的重点是均匀基区与缓变基区晶体管的直流电流放大系数、晶体管的直流电流电压方程及其简单应用、晶体管中的各种反向电流和各种击穿电压、交流小信号电流放大系数与频率的关系、特征频率以及与之有关的4个主要时间常数、晶体管的交流小信号电流电压方程与等效电路、功率增益和最高振荡频率。这部分内容的难点是晶体管内部的电流变化情形、缓变基区晶体管的电流密度与载流子分布、方块电阻与注入效率的关系、基区宽度随集电结电压的变化率、高频下基区输运系数的精确公式、集电结耗尽层延迟时间、交流小信号电流电压方程的建立、影响特征频率与功率增益的各种因素等。 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）（17学时）： 理解MOSFET的基本结构与工作原理，掌握MOSFET的阈值电压、非饱和区的直流输出特性方程、饱和漏源电压与饱和漏极电流，理解有效沟道长度调制效应，了解MOSFET的亚阈区导电特性，掌握MOSFET的温度特性、直流参数、击穿特性、小信号参数、频率特性及高频等效电路，理解MOSFET的短沟道效应、了解深亚微米MOSFET。 这部分内容的重点是MOSFET的基本结构与工作原理、MOSFET的阈值电压及影响阈值电压的各种因素、MOSFET在非饱和区的直流电流电压方程、MOSFET的各种击穿电压、MOSFET的小信号参数与高频等效电路、短沟道效应及其防止措施。这部分内容的难点是MOSFET阈值电压的推导、MOSFET非饱和区精确的直流电流