《集成电路版图设计》课程教学大纲（模板）.pdfVIP

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2022-10-14 发布于河南
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《集成电路版图设计》课程教学大纲（模板）.pdf

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《集成电路版图设计》课程教学大纲一、课程基本情况课程编号： 083H38A 学分： 3 周学时： 3 总学时： 51 开课学期： 3.2 开课学院：理学院英文名称：Design of IC layout 适用专业：微电子科学与工程课程类别：专业方向模块课课程修读条件：《模拟电路》、《数字电路》、《模拟 CMOS 集成电路设计》、《CMOS 数字集成电路》。网络课程地址: 课程负责人：所属基层学术组织：微电子科学与工程系二、课程简介本课程是超大规模集成电路设计方向模块的专业必修课程。课程教学以理论讲授为主，要求学生理解与掌握双极性晶体管、MOS 晶体管物理模型，熟悉集成电路工艺，掌握集成电路版图设计规则。主要内容包括半导体器件和集成电路工艺的基本知识，集成电路常用器件的版图设计方法，流行版图设计软件的使用方法，版图验证的流程，以及集成电路版图实例等。三、教学目标集成电路版图设计就是根据集成电路的拓扑结构，将构成电路的 MOS 晶体管的版图进行布局、布图和连线，以实现电路功能。通过本课程的学习，学生应具备一下技能：（1）电路的分析及应用：能够读懂电路的线路图，并能进行正确分析，明确设计任务；（2 ）版图识读和常见基本器件的版图设计：能够读懂已有的版图，了解常见的版图设计风险，并能进行常见基本器件的设计；（3 ）布局布线与检查修正：熟练掌握 IC 版图设计工具，能够依据线路图进行版图编辑与布线，熟练运用版图验证工具进行设计规则和一致性检查，并根据检查结果对版图进行修改。四、教学内容及学时分配章节主要内容课时数第 1 章半导体的基本知识、PN 结、双极性晶体管、 4 器件物理 MOSFET 第 2 章光刻技术、氧化、刻蚀、扩散、离子注入、 4 半导体制造淀积、金属化等工艺第 3 章双极工艺、多晶硅栅工艺、模拟 BiCMOS 工 4 典型工艺艺第 4 章电过应力、表面玷污、表面效应、寄生效应 4 失效机制等第 5 章电阻率和方块电阻、电阻的版图设计、电阻 6 电阻的寄生效应、电阻阻值的调节第 6、7 章电容和电感的版图设计、失配的原因与测量、电容和电感的 6 器件的匹配规则匹配第 8、9 章标准、CMOS 和 BiCMOS 工艺双极型小信号晶双极性晶体管 11 体管、双极性型晶体管的匹配和设计规则的应用第 11、12 张