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集成电路设计答案 王志功版 集成电路设计答案王志功版 第一章 1．按规模分割，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵从了一条业界知名的定律， 请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-ssi-msi-lsi-vlsi-ulsi-gsi-soc。moore定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 具有设计人才和技术，但不具有生产线。特点：电路设计，工艺生产，PCB统合运转。环境：ic产业生产能力余下，人们须要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（mpw）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ mpw：把几至几十种工艺上相容的芯片组装至一个宏芯片上，然后以步行的方式排序至一至多个晶圆上。意义：降低成本。4．集成电路设计须要哪四个方面的科学知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源多样，技术明朗，硅基产品价格低廉2．gaas和inp材料各存有哪些特点?p10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体轻参杂可实现欧姆碰触，金属与参杂半导体碰触构成肖特基碰触4．讲出多晶硅在cmos工艺中的促进作用。p135．列举你晓得的异质半导体材料系统。gaas/algaas,inp/ingaas,si/sige,6．soi材料就是怎样构成的，存有什么特点?soi绝缘体上硅，可以通过氧隔绝或者晶片导电技术顺利完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更慢，功率更高7.肖特基碰触和欧姆型碰触各存有什么特点？肖特基碰触：阻挡层具备相似pn吴厝庄的伏安特性。欧姆型碰触：载流子可以难地利用量子遂穿着效应适当民主自由传输。 8.简述双极型晶体管和mos晶体管的工作原理。p19,21 第三章 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料构成具备相同参杂种类及浓度而具备相同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在ic制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。p28,29 3．写下光刻的促进作用，光铸有哪两种曝光方式？促进作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式存有碰触与非碰触两种。 4．x射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ x射线（x-ray）具备比红外线长得多的波长，需用去制作更高分辨率的掩膜版。电子 束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高 5．讲出半导体工艺中参杂的促进作用，列举两种参杂方法，并比较其优缺点。 热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复 6．列举干法和湿法水解法构成sio2的化学反应式。 干氧si?o2?sio2湿氧si?2h2o?sio2?2h2 第四章 1．si工艺和gaas工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.12．比较cmos工艺和gaas工艺的特点。cmos工艺技术成熟，功耗低。gaas工艺技术不成熟，工作频率高。3.什么是mos工艺的特征尺寸？ 工艺可以同时实现的平面结构的最轻宽度，通常指最轻栅长。4.为什么硅栅工艺替代铝栅工艺沦为cmos工艺的主流技术？ 铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（maskstep），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。 5.为什么在栅长相同的情况下nmos管速度必须低于pmos管？因为电子的迁移率大于空穴的迁移率6．详述cmos工艺的基本工艺流程。p.52 7．常规n-wellcmos工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？p50表4.3 第五章 1．说出mosfet的基本结构。 mosfet由两个pn结和一个mos电容共同组成。2．写下mosfet的基本电流方程。 ?ox?tox1?wl[(vgs?vt)vds?2vds] 23．mosfet的饱和电流依赖于哪些参数？ 饱和电流取