chap2-半导体材料的电学和光学特性课件.pptxVIP

Chap２　半导体材料的电学和光学特性 2.1 半导体材料的电学特性 2.2半导体材料的种类和特性及PN结 2.3半导体材料的光学特性 2.1.1 半导体的晶体结构和结合性质1、金刚石型结构和共价键化学键: 构成晶体的结合力.共价键: 由同种晶体组成的元素半导体,其原 子间无负电性差,它们通过共用一对 自旋相反而配对的价电子结合在一 起.Ge: a=5.43089埃Si: a=5.65754埃2.1.1 半导体的晶体结构和结合性质共价键的特点1、 饱和性2、 方向性正四面体结构金刚石型结构{100}面上的投影：2.1.1 半导体的晶体结构和结合性质2、闪锌矿结构和混合键材料: Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半导体 例: GaAs、GaP化学键: 共价键+离子键闪锌矿结构的结晶学原胞:2.1.2 半导体的能带结构能带结构是晶体的普遍属性价电子的基本特征： 1. 价电子的局域性 2. 价电子的非局域性晶体中价电子可用被周期调制的自由电子波函数描述周期函数反映了电子的局域特性自由电子波函数反映了电子的非局域特性由于电子波函数的空间位相有自由电子波函数一项决定，Bragg衍射同样发生能带必然存在，能带结构是晶体的必然属性Bloch定理：uk(r): 与晶格平移周期 一致的周期函数能带结构代表了半导体材料的电学特性，本质上，半导体中的传输和光学特性都是由能带结构决定的。2.1.2 半导体的能带结构波函数：描述微观粒子的状态薛定谔方程：决定粒子变化的方程2.1.2 半导体的能带结构周期势场中的电子：布洛赫理论周期性势场中电子的运动描述为：(h2/2m)?2ψ/?x2 + U(r)ψ(r) = Eψ(r) 周期势场为：U((r+R)=U(r) Bloch定理给出波函数：Ψk(r) = exp(ikr)u k(r) 其中周期函数 u k(r) 为 uk(r+R)=uk(r) Bloch理论：在周期势场中的电子波函数就是平面波函数和周期函数的乘积。2.1.2 半导体的能带结构备课用，不显示（1）自由电子: 电子在空间是等几率分布的，即自由电子在空间作自由运动。 波矢k描述自由电子的运动状态。备课用，不显示（2）晶体中的电子: 分布几率是晶格的周期函数，但对每个原胞的相应位置，电子的分布几率一样的。 波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态。2.1.2 半导体的能带结构备课用，不显示从原子能级到能带Bloch理论的求解：电子的能量是K的函数，这种E和k之间的关系构成了能带结构。原子中电子的波函数通常表示成ψnlmn为主量子数，值为1，2，3……整数，l为角动量量子数，代表了电子绕原子核运动轨道的角动量，其数值为? ，2?， 3?……,m代表了角动量沿Z轴的投影，取值为 0，? ? ， ? 2? ……2.1.2 半导体的能带结构备课用，不显示从原子能级到能带原子间距?10? 分子中原子间距1-2? 2.1.2 半导体的能带结构布里渊区与能带简约布里渊区与能带简图（允带与允带之间系禁带）2.1.2 半导体的能带结构布里渊区的特征：（1）每隔1/a的k表示的是同一 个电子态；（2）波矢k只能取一系列分立的值，每个k占有的线度为1/L；2.1.2 半导体的能带结构E（k）- k的对应意义：（1）一个k值与一个能级（又称能量状态相对应；（2）每个布里渊区有N（N：晶体的固体物理学原胞数）个k状态，故每个能带中有N个能级；（3）每个能级最多可容纳自旋相反的两个电子，故 每个能带中最多可容纳2N 个电子。2.1.2 半导体的能带结构（1）满带中的电子不导电 I（A）=-I（-A） 即是说，+k态和-k态的电子电流互相抵消 所以，满带中的电子不导电。 而对部分填充的能带，将产生宏观电流。2.1.2 半导体的能带结构（2）导体、绝缘体和半导体的能带模型2.1.2 半导体的能带结构能带理论-Fermi-Dirac “分布”在不同能级发现电子（费密子）的几率为在 RT, E – EF = 0.05 eV ? f(E) = 0.12 E – EF = 7.5 eV ? f(E) = 10 –129e指数分布具有巨大的效果!贯穿材料系统的任何变化都 代表了输入或输出电子的消耗功。2.1.2 半导体的能带结构能带理论-Fermi-Dirac “分布”同温度相关的Fermi-Dirac 函数如下:? 在高温下，阶跃函数类似 “抹掉”。2.1.2 半导体的能带结构能带理论－－金属? 由晶格离子（+）和电子（-）“气”之间的库仑吸引构成。? 金属键允许电子在晶格中自由移动.? 小的内聚能 (1-4 eV).? 高导电率.? 吸收 可见光 (非透明, “闪光” 是因为再-发射).? 好的 合金性 (因为无方向性的金属键).2.1.2 半导体的能带结构能带理论－－金属T 0EC