MOS开关损耗计算.pdf

MOS开关损耗计算 MOSFET开关损耗 1、开通过程中MOSFET开关损耗 功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是 ：下面的开通过程对应 着BUCK变换器上管的开通状态 ，对于下管是0电压开通 ，因此开关损耗很小 ， 可以忽略不计。 图1 ：MOSFET开关过程中栅极电荷特性 开通过程中 ，从t0时刻起 ，栅源极间电容开始充电 ，栅电压开始上升 ，栅极电压 为 ： 其中 ： ，VGS为PWM栅极驱动器的输出电压 ，Ron为PWM栅极驱动器内部串联导通 电阻 ，Ciss为MOSFET输入电容 ，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前 ，漏极没有电流流过 ，时间t1为 ： VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGP的时间t2为 ： VGS处于米勒平台的时间t3为 ： t3也可以用下面公式计算 ： 注意到了米勒平台后 ，漏极电流达到系统最大电流ID ，就保持在电路决定的恒定 最大值ID ，漏极电压开始下降 ，MOSFET固有的转移特性使栅极电压和漏极电 流保持比例的关系 ，漏极电流恒定 ，因此栅极电压也保持恒定 ，这样栅极电压不 变 ，栅源极间的电容不再流过电流 ，驱动的电流全部流过米勒电容。过了米勒平 台后 ，MOSFET完全导通 ，栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束 ，就继续 地增大 ，直到等于驱动电路的电源的电压。 MOSFET开通损耗主要发生在t2和t3时间段。下面以一个具体的实例计算。输入 电压12V ，输出电压3.3V/6A ，开关频率350kHz ，PWM栅极驱动器电压为 5V ，导通电阻1.5Ω ，关断的下拉电阻为0.5Ω ，所用的MOSFET为AO4468。 具体参数为 ： Ciss=955pF ，Coss=145pF ，Crss=112pF ，Rg=0.5Ω ； 当VGS=4.5V ，Qg=9nC ； 当VGS=10V ，Qg=17nC ，Qgd=4.7nC ，Qgs=3.4nC ； 当VGS=5V且ID=11.6A ，跨导gFS=19S ； 当VDS=VGS且ID=250μA ，VTH=2V ； 当VGS=4.5V且ID=10A ，RDS(ON)=17.4mΩ。 开通时米勒平台电压VGP ： 计算可以得到电感L=4.7μH ，满载时电感的峰峰电流为1.454A ，电感的谷点电 流为5.273A ，峰值电流为6.727A。所以 ，开通时米勒平台电压 ： VGP=2+5.273/19=2.278V 可以计算得到 ： 开通过程中产生开关损耗为 ： 开通过程中 ，Crss和米勒平台时间t3成正比 ，计算可以得出米勒平台所占开通损 耗比例为84% ，因此米勒电容Crss及所对应的Qgd在MOSFET的开关损耗中起 主导作用 。Ciss=Crss+Cgs ，Ciss所对应 电荷 为Qg。对于两个不 同的 MOSFET ，两个不同的开关管 ，即使A管的Qg和Ciss小于B管的 ，但如果A管的 Crss比B管的大得多时 ，A管的开关损耗就有可能大于B管。因此在实际选取 MOSFET时 ，需要优先考虑米勒电容Crss的值。 减小驱动电阻可以同时降低t3和t2 ，从而降低开关损耗 ，但是过高的开关速度会 引起EMI的问题。提高栅驱动电压也可以降低t3时间。降低米勒电压 ，也就是降 低阈值开启电压 ，提高跨导 ，也可以降低t3时间从而降低开关损耗。但过低的阈 值开启会使MOSFET容易受到干扰误导通 ，增大跨导将增加工艺复杂程度和成 本。 2、关断过程中MOSFET开关损耗 关断的过程如图1所示 ，分析和上面的过程相同 ，需注意的就是此时要用PWM 驱动器内部的下拉电阻0.5Ω和Rg串联计算 ，同时电流要用最大电流即峰值电流 6.727A 来 计 算 关 断 的 米 勒 平 台 电 压 及 相 关 的 时 间 值 ： VGP=2+6.727/19=2.354V。 关断过程中产生开关损耗为 ： Crss一定时 ，Ciss越大 ，除了对开关损耗有一定的影响 ，还会影响开通和关断的 延时时间 ，开通延时为图1中的t1和t2 ，图2中的t8和t9。 图2 ：断续模式工作波形 Coss产生开关损耗及影响 1、C