广东功率半导体芯片项目可行性研究报告（范文）.docx

泓域咨询/广东功率半导体芯片项目可行性研究报告  广东功率半导体芯片项目 可行性研究报告 xxx有限公司  报告说明 目前，全球半导体衬底材料已经发展到第三代，包括以硅（Si）、锗（Ge）等为代表的第一代元素半导体材料，以砷化镓（GaAs）等为代表的第二代化合物半导体材料，以及以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带半导体材料。新材料进一步改善功率半导体的性能，但整体来看，硅基材料的功率半导体产品仍是市场主流。 根据谨慎财务估算，项目总投资12040.09万元，其中：建设投资9764.66万元，占项目总投资的81.10%；建设期利息251.89万元，占项目总投资的2.