2022年半导体物理及器件实验报告模板.docxVIP

实验1：四探针测电阻率 实验目的 掌握四探针法测量半导体材料方阻的基本原理和方法 掌握半导体电阻率的测量方法 实验设备： 三、实验原理： 四、实验步骤： 五、实验数据处理及结果分析 实验2：霍尔实验 一、实验目的 、霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2、测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B及励磁电流IM之间的关系。 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 二、实验设备： DH4512D霍尔效应试验仪 实验原理： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，如图所示，磁场B位于z的正向，与之垂直的半导体薄皮上沿X正向通以电流Ⅰ(称为工作电流)，假设载流子为电子(N型半导体材料)，它沿着与电流Ⅰ3相反的X负向运动。由于洛仑兹力f作用，电子即向图中线箭头所指的位于y轴负方向的 B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f的作用。随着电荷积累的增加，f。增大，当两力大小相等(方向相反）时，f= —f ,，则电子积累使达到动态平衡。这时在A,B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E，，相