清华大学模拟电子技术基础习题解答与答案.docxVIP

. . 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U ≈1.3V U ＝0 U ≈－1.3V U ≈2V U ≈2.3V U ≈－2V O1 O2 O3 O4 O5 O6 四、U ＝6V U ＝5V O1 五、根据 P O2 ＝200mW 可得：U ＝40V 时 I ＝5mA，U ＝30V 时 I ≈6.67mA，U ＝ CM CE C CE C CE 20V 时 I ＝10mA，U ＝10V 时I ＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 C CE