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  • 2022-12-19 发布于重庆
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截止波导管 损耗 频率 fc 截止频率 频率高的电磁波能通过波导管,频率低的电磁波损耗很大!工作在截止区的波导管叫截止波导。 截止区 杨继深 2002 第三十页,共四十页。 截止波导管的衰减 杨继深 2002 第三十一页,共四十页。 截止波导管的屏效 截止波导管 屏蔽效能 = 反射损耗: 远场区计算公式 近场区计算公式 + 吸收损耗 圆形截止波导: 32 t / d 矩形截止波导: 27.2 t / l 孔洞计算屏蔽效能公式 杨继深 2002 第三十二页,共四十页。 截止波导管的损耗 杨继深 2002 第三十三页,共四十页。 截止波导管的设计步骤 孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE 确定截止波导管的截面形状 确定要屏蔽的最高的频率 f 确定波导管的截止频率 fc 计算截止波导管的截面尺寸 由SE 确定截止波导管的长度 5f 杨继深 2002 第三十四页,共四十页。 显示窗/器件的处理 隔离舱 滤波器 屏蔽窗 滤波器 杨继深 2002 第三十五页,共四十页。 操作器件的处理 屏蔽体上开小孔 屏蔽体上栽上截止波导管 用隔离舱将操作器件隔离出 杨继深 2002 第三十六页,共四十页。 通风口的处理 穿孔金属板 截止波导通风板 杨继深 2002 第三十七页,共四十页。 贯通导体的处理 杨继深 2002 第三十八页,共四十页。 屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法 在内部可将电缆延伸 表面做导电清洁处理,保持360度连接 注意防腐 屏蔽互套 屏蔽体边界 屏蔽电缆 与电缆套360度搭接 杨继深 2002 第三十九页,共四十页。 内容总结 第三章 电磁屏蔽技术。杨继深 2002。= R+ A+B。E1 = E0e-t/?。R = 20 lg。ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r。f = 电磁波的频率(MHz)。3? 108 / 2?r。r = 30 m。电场r = 1 m。磁场 r = 1 m。综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)。磁场波 r = 0.5 m。SE = 1 + R0/RS。?r 103。磁通密度 B。磁场强度 H。? = ?B /? H。若ZC ?(7.9/Df):(说明是磁场源)。导电橡胶(不同导电填充物的)。最大形变量(关系到最大压缩量)。27.2 t / l。确定波导管的截止频率 fc。与电缆套360度搭接 第四十页,共四十页。 * * 第三章 电磁屏蔽技术 屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计 杨继深 2002 第一页,共四十页。 电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 杨继深 2002 第二页,共四十页。 实心材料屏蔽效能的计算 入射波 场强 距离 吸收损耗A R1 R2 SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B B 杨继深 2002 第三页,共四十页。 波阻抗的概念 波阻抗 电场为主 E ? 1/ r3 H ? 1 / r2 磁场为主 H ? 1/ r3 E ? 1/ r2 平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r 377 ?/ 2? 到观测点距离 r E/H ? 杨继深 2002 第四页,共四十页。 吸收损耗的计算 t 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/? A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB 0.37E0 ? A = 8.69 ( t / ? ) dB A = 3.34 t ? f ?r?r dB 杨继深 2002 第五页,共四十页。 趋肤深度举例 杨继深 2002 第六页,共四十页。 反射损耗 R = 20 lg ZW 4 Zs 反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。 ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r 远场:377? 近场:取决于源的阻抗 同一种材料的阻抗随频率变 杨继深 2002 第七页,共四十页。 不同电磁波的反射损耗 远场: R = 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m) f = 电磁波的频率(MHz) 2 D f D f Zs Zs 电场: R = 20 lg 磁场: R = 20 lg dB

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