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半导体工艺技术会计学第1页/共129页接触与互联将器件连接成特定的电路结构：金属线及介质的制作，使得金属线在电学和物理上均被介质隔离。全局互连（Al）（IMD）（PMD）局部互连 （多晶硅, 硅化物, TiN）接触（contact）—金属和硅的结合部通孔（via）—用于连接不同层的金属连线金属间介质（IMD）钝化层（passivation）第2页/共129页多层金属互连增加了电路功能并使速度加快后端工艺越来越重要占了工艺步骤中大部分影响IC芯片的速度第3页/共129页互连的速度限制可以作简单的估计由全局互连造成的延迟可以表达为：e其中eox是介质的介电常数，K是边缘场效应的修正系数，r是金属线的电阻率第4页/共129页对IC金属化系统的主要要求 电学、机械、热学、热力学及化学(1) 金属和半导体形成低阻接触(2) 低阻互连(3) 与下面的氧化层或其它介质层的粘附性好(4) 台阶覆盖好(5) 结构稳定，不发生电迁移及腐蚀现象(6) 易刻蚀(7) 制备工艺简单第5页/共129页可能形成互连的导电材料金属 （metal）：low resistivity多晶硅（poly–Si）：Medium resistivity)硅化物（metal silicides）：介于以上二者之间第6页/共129页Properties of Interconnect MaterialsMaterialThin film resistivity (??cm)Melting point (oC)Al2.7-3.0660W8-153410Cu1.7-2.01084Ti40-701670PtSi28-351229C54 TiSi213-161540WSi230-702165CoSi215-201326NiSi12-20992TiN50-1502950Ti30W7075-2002200Heavily doped poly-Si450-100001417第7页/共129页衡量欧姆接触质量的参数是比接触电阻 ?c重掺杂硅金属线接触面积A 定义：零偏压附近电流密度随电压的变化率比接触电阻 ?c 的单位: Wcm2 或 ??m2 接触电阻：金属－Si之间， ?c在10-5～10-9 Wcm2金属－金属之间， ?c10-8 Wcm2第8页/共129页金半接触整流接触欧姆接触n+~1019-1021/cm3, p+1019/cm3第9页/共129页当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，?c与半导体的掺杂浓度N及金－半接触的势垒高度q?b有下面的关系 q?b 在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。结论：要获得低接触电阻的金-半接触，必须减小金-半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度第10页/共129页形成欧姆接触的方式低势垒欧姆接触：一般金属和p型半导体 的接触势垒较低 高掺杂欧姆接触 Al/p-type Si势垒高度 0.4 eV1.12 eVAl/n-type Si势垒高度 0.7 eV需高掺杂欧姆接触 第11页/共129页铝互连技术最常用的材料是Al：采用溅射淀积?Al 金属化系统失效的现象Al的电迁移（Electromigration）Al/Si接触中的尖楔现象Cu正全面取代Alvoide第12页/共129页（1）铝的电迁移当大密度电流流过金属薄膜时，具有大动量的导电电子将与金属原子发生动量交换，使金属原子沿电子流的方向迁移，这种现象称为金属电迁移电迁移会使金属原子在阳极端堆积，形成小丘或晶须，造成电极间短路；在阴极端由于金属空位的积聚而形成空洞，导致电路开路 Hillock第13页/共129页第14页/共129页(2) Al/Si接触中的尖楔现象1）硅和铝不能发生化学反应形成硅化物，但是退火温度下（400-500 ?C），硅在铝中的固溶度较高（固溶度随温度呈指数增长），会有相当可观的硅原子溶解到Al中。2）退火温度下，Si在Al膜中的扩散系数非常大——在薄膜晶粒间界的扩散系数是晶体内的40倍。3) Al和SiO2会发生反应：4Al+3SiO2?2Al2O3+3SiAl与Si接触时，Al可以“吃掉”Si表面的天然SiO2层(～1 nm)，使接触电阻下降；可以增加Al与SiO2的粘附性。SiO2厚度不均匀，会造成严重的尖楔现象。第15页/共129页铝的尖楔SEM照片解决尖楔问题的方法铝中加入少量Si（~1%）利用扩散阻挡层( Diffusion Barrier）：TiN， TiW，W及难熔金属硅化物；500 ?C稳定第16页/共129页解决电迁移问题的方法在Al中加入～4％的Cu可以降低铝原子在晶间的扩散系数。但同时电阻率会增加！淀积溅射LPCVD/PECVD常用接触和扩散阻挡退火形成合适金属化合物形成稳定接触界面降低电阻率第17页/共129