压力测量及其仪表.pptVIP

其核心部分是一圆形的硅膜片，膜片厚度一般为0.1mm左右，材料通常是N型硅。膜片的四周用一圆环（硅环）固定。目前多采用圆形的硅杯一体结构。在膜片上有4个用集成电路工艺制成的等值P型硅电阻。在0.635r半径之内各分布两个电阻R2、R3，在半径之外各分布两个电阻R1、R4。膜片的两边有两个压力腔。一个是和被测系统相连接的高压腔，一个是低压腔，通常和大气相通。4 个电阻接到电桥电路的4个臂上。当膜片两边存在压力差时，膜片上各点存在应力。4个电阻在应力作用下，阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相应的电压。此电压和膜片两边的压力差成正比，这样电桥的输出电压就反应了压力的变化。 第三十一页，共六十二页。 4、压阻式压力传感器的特点: (1)灵敏度高，频率响应高； (2)测量范围宽，可测低至10Pa的微压到高至60MPa的高压； (3)精度高，工作可靠，其精度可达±0.2％～0.02％； (4)易于微小型化，目前国内生产出直径φ1.8～2mm的压阻式压力传感器。 5、应变片的共性问题： 工作温度影响——需补偿； 材料选择——硅、锗 加工工艺——缠绕、箔片、印刷、扩散、溅射… 安装位置及方法——应变大小。 第三十二页，共六十二页。 某些电介质沿着某一个方向受力而发生机械变形(压缩或伸长)时，其内部将发生极化现象，而在其某些表面上会产生电荷。当外力去掉后，它又会重新回到不带电的状态，此现象称为“压电效应”。 优点：结构简单、紧凑，小巧轻便，工作可靠，线性度高，测量精度高，量程范围大可测100MPa以下的压力。 缺点：但是由于产生的电荷量少，因此后续需加高阻抗的直流放大器。由于晶体边缘上存在漏电现象，不适宜测量缓慢变化的压力和静态压力。 单晶体：如石英、酒石酸钾钠等； 多晶体：压电陶瓷，有锆钛酸铅系列压电陶瓷（PZT）及非铅系压电陶瓷 （如BaTiO3等）； 其他还有：压电半导体，如硫化锌等；高分子压电材料如聚偏二氟乙烯（PVF2或PVDF）、聚氟乙烯（PVF）、改性聚氯乙烯（PVC）等。 4.3 压电式 第三十三页，共六十二页。 霍尔效应：把半导体单晶薄片置于磁场B中，如果在它的两个纵向面上通以一定大小的电流，则在晶体的两个横向端面之间出现电势UH，叫霍尔效应，产生的电势称为霍尔电势。 霍尔常数 4.4 霍尔式 第三十四页，共六十二页。 霍尔电势的产生： 将固定在弹性元件上的霍尔片放置在一非均匀磁场中，在这区间，磁场强度具有均匀的梯度，当霍尔片在弹性元件的带动下偏离正中位置，通过霍尔片的磁场强度发生变化，霍尔片就有正比于位移的霍尔电势产生。 第三十五页，共六十二页。 变气隙式：变气隙自感式传感器的输出特性是非线性的。适合测量较小位移形变量。 基本原理：利用自感和互感变化来测量压力的传感器。 4.5 电感式 第三十六页，共六十二页。 变面积式：变气隙自感式传感器的输出特性是非线性的。适合测量较小位移形变量。 在忽略气隙磁通边缘效应的条件下，其输出特性呈线性，因而具有较大的线性范围。 与变气隙式相比较，其灵敏度较低。 第三十七页，共六十二页。 螺管式：由螺管线圈、衔铁和磁性套管等组成。随着衔铁插入的深度的不同将引起线圈泄漏路径中磁阻的变化，从而使线圈的电感发生变化。 灵敏度较前两种低。 具有较大的线性范围，适用于较大位移量。 第三十八页，共六十二页。 第三十九页，共六十二页。 基本原理：弹性敏感元件作为感受压力的元件，并作为活动板，与固定在传感器壳体上的定极板形成电容器，当压力通过工作介质传递到动极板上时，膜片产生位移，改变电容量，因此可以通过测量电容量来测定压力大小。 4.6 电容式 第四十页，共六十二页。 4.7 工程上的压力变送器 第四十一页，共六十二页。 我们毕业啦 其实是答辩的标题地方 压力仪表选用及安装 第四十二页，共六十二页。 仪表的类型应根据被测介质情况、现场环境及生产过程对仪表的要求。 仪表的量程要根据被测压力的大小及其在测量过程中变化的情况来选取。 仪表的精度应根据要求在规定的精度等级中选择确定。所选精度等级应小于或至少等于所要求的仪表允许最大引用误差 第四十三页，共六十二页。 类型的选择，通常需要考虑以下因素： 被测介质的物理化学性质，如温度高低、粘度大小、脏污程度、腐蚀性，是否易燃易爆、易结晶等。 生产过程对压力测量的要求，如被测压力范围、精确度以及是否需要远传、记录或上下限报警等。 现场环境条件，如高温、腐蚀、潮温、振动、电磁场等 第四十四页，共六十二页。 测量范围(量程): 一般在被测压力比较平稳的情况下，最大工作压力应不超过仪表满量程的3/4； 在被测压力波动较大的情况下，最大压力值不超过仪表满量程的2/3，一般示值应控制在量程的1/2左右 ；压力最小值应不低于全量程的1/3。