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M otor Controll 技术专题 电机控制 电子产品世界 提升电机系统能效 响应国家“双碳”政策 黄文源 （东芝电子元件（上海）有限公司 半导体技术统括部） 响应“双碳”政策 功耗问题 在没有 CPU （中央处理器）详细指令的情况下处理矢量 不可忽视 控制中的复杂计算。硬件 IP 是矢量引擎。矢量引擎执 随着碳达峰和碳中和问题 行从 3 相到 2 相的转换、旋转坐标转换和那些反向转换， 变得越来越重要，东芝集团于 它们是矢量控制中的主要计算。在矢量控制中与矢量引 2020 年 9 月 18 日已经获得了 擎配合使用将会大大提高微控制器的性能。 SBT （Science Based Targets ） 第三代半导体带来新的性能优势 认定。SBT 倡议组织认定东芝 功率器件在各种电器中的应用越来越广泛，特别是 到 2030 年度为止的温室气体 对于能效的要求不断提高的环境下，电机驱动的变频化 减排目标符合科学依据，并且 比例越来越高，因此，从电机驱动的角度来说，对作为 符合《巴黎协定》中“将全球平均气温较前工业化时期 驱动电路中的最主要器件的 MOSFET 的效率的要求也 上升幅度控制在 2 摄氏度以内，并努力将温度上升幅度 越来越高。 限制在 1.5 摄氏度以内”的要求。 下图的案例是东芝低压 MOSFET （金属 - 氧化物 为了实现上述目标，在当前自动化程度的不断提高， 半导体场效应晶体管）在电动工具中的应用，通过采用 电机的应用场合越来越多的大环境下，电机系统的功耗 东芝低导通电阻 / 低开关损耗 / 良好反向恢复特性的低 变得不可忽视，而这其中牵涉到两个较为关键的因素， 压 MOSFET ，使得电机的性能得到充分发挥。 一个是器件本身的功耗，另一个是实现方法也就是解决 在世界范围内，第三代半导体的发展如火如荼，特 方案的功耗。东芝半导体作为电机驱动集成电路的重要 别是第三代半导体在功率器件上的优异表现引人关注。 供应商之一，从产品开发设计、工艺、方案等方面始终 与硅（Si ）相比，碳化硅（SiC ）是一种介电击穿强度更大、 致力于能耗的降低，从降低现存工艺产品的功耗到加快 饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因 第三代半导体（SiC/GaN ）的创新开发，不断提升半导 此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器 体器件对电子产品节能降耗的贡献。这其中电机的无刷 件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特 化便是其中的考量之一。 性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代 提升MCU性能有助于提高电机控制能效 低损耗器件。 在电机控制部分，MCU （微控制器） 是电机控制的核心单元，为了提高电机控 制的精度和速度，矢量引擎被广泛采用， 传统的矢量控制需要消耗大量的软件资 源。如果矢量控制软件占用了嵌入式存储 器的主要容量，因软件资源不足会导致微 控制器不能有效地工作。东芝在微控制器 中引入了一个硬件 IP （只是产权），它能 图1 东芝低压MOSFET应用