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* 利用二极管的反向击穿特性，使来自静电源 的过电压（V0）箝位。 (a). 等效电路 (b). Vmos与V0的关系 第六十页，共一百零一页。 * （2） 扩散电阻保护法 在输入端和栅氧化膜之间加一2-5K的扩散电阻，提供一分布网络《分布电阻－二极管网络》 图中rs′为单位长度的串联电阻，rd为单位长度的动态电阻 扩散电阻保护 (a) 等效电路；(b) Vmos与V0的关系 第六十一页，共一百零一页。 * 这时，加于MOS器件上的电压为： V0≧BDV 式中 是分布电阻网络的输入阻抗，xr是电阻长度。 由上分析可得： Vomax= y(Vmosmax- BDV）+ BDV 即能够保护的最大静电势和MOS器件所能承受的最大栅压与保护器件击穿电压的差值近似成正比； 比例常数y与保护方法有关，一般采用扩散电阻保护时其值最大，故保护方法最佳； 扩散电阻法的缺点是不能用于某些高电容输入的MOS器件中去，其会影响器件的频率特性。 第六十二页，共一百零一页。 * （3）场效应晶体管保护 输入保护网络采用MOS晶体管本身 利用源-漏穿通电压保护。 40-50V高阈值电压的P沟MOS器件，当