绝缘栅双极型晶体管(IGBT)行业发展分析与投资前景分析报告.pdf

2 02 3 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)行业发展分析与投 资前景分析报告 汇报人 ： 汇报 时间 目录 CONTENTS 绝缘栅双极型晶体管 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 01 (IGBT)行业综述 02 发展环境 绝缘栅双极型晶体管 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 03 04 (IGBT)现状分析 发展趋势 05 绝缘栅双极型晶体管 06 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) (IGBT)竞争格局 投资分析 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)行业概述 01 行业定义 发展历程 行业产业链 行业定义 行业发展历程 1992年 1997年 采用沟槽型替代平面栅,工艺线宽从5um发展到3um 以低掺杂的N-基区作为衬底,不采用外延技术，而采用离子注入的 “透明集 电区技术 01 02 03 04 2001年 2003年 结合了透明集电区技术”与 “电场中止技术” 基于第五代FS-IGBT芯片产品改进了沟槽型结构 行业政策1 提出要重点发展以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发和功率模块产 提出到2020年，中国纯电动车和插电式混合动力汽车年生产能力将达 业化，为 行业的技术和产业化发展指明了方向，奠定了行业的发 万辆，等效为 英寸 晶圆年需求 万片，有助于推进 行 IGBT 200 8 IGBT 100 IGBT 展基调 业下游新能源汽车应用领域的发展，也推动IGBT在新能源汽车领域技 术的发展，为中游IGBT生产商提供了发展保障 提出了以体系化思维来弥补信息领域核心技术弱势，打造国际先进和 明确提出到 年单位工业增加值 规模以上 能耗比 年下降 2025 , ( ) 2020 安全可靠的核心技术体