半导体工艺掺杂原理与技术.pptxVIP

微电子工艺学Microelectronic Processing第四章　掺杂原理与技术;掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。;基本概念：结深 xj （Junction Depth）；薄层电阻 Rs （Sheet Resistance ）；杂质固溶度（Solubility);高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电路，因为二者互补不足，相得益彰。例如，扩散可用于形成深结(deep junction)，如CMOS中的双阱(twin well)；而离子注入可用于形成浅结(shaIlow junction)，如MOSFET中的漏极与源极．;4.1 掺杂;杂质分布形状（doping profile）举例;结深的定义 xj : 当 x = xj 处 Cx（扩散杂质浓度）= CB（本体浓度） 器件等比例缩小k倍，等电场要求xj 同时缩小k倍 同时 ;8;方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。 重要性：薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量 ;物理意义： 薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量 q 电荷，? 载流子迁移率，n 载流子浓度 假定杂质全部电离 ，载流子浓度 n = 杂质浓度 N 则： Q：从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量 ;杂质固溶度（dopant solid solubility）;As在硅中的固溶度: 2?1021 cm-3 As的电学可激活浓度: 2?1020 cm-3;掺入的杂质是电活性的，能提供所需的载流子，使许多微结构和器件得以实现。掺杂的最高极限约1021 atoms/cm3，最低1013 atoms/cm3 ;扩散原理 扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也叫热扩散。 固相扩散：扩散是一种自然现象，由物质自身???热运动引起。微电子工艺中的扩散是杂质在晶体内的扩散，因此是一种固相扩散。 扩散的微观机制：晶体内扩散是通过一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，有多种方式，最主要有：填隙式扩散；替位式扩散；填隙-替位式扩散 ;间隙式扩散（interstitial）;填隙式（ interstitial assisted kick-out)或推填式扩散（Interstitialcy-assited);间隙原子;间隙式扩散： Au, Ag, Cu, Fe, Ni等;在温度T，单位晶体体积中的空位数 每一格点出现空位的几率为 Nv/N，替位式原子必须越过的势垒高度为Es; Es 约3 ? 4 eV 跳跃几率为 慢扩散杂质;Ea：本征扩散激活能， D0和温度弱相关，而主要取决于晶格几何尺寸和振动频率v0; D0(cm2/s) Ea(eV) B 1.0 3.46 In 1.2 3.50 P 4.70 3.68 As 9.17 3.99 Sb 4.58 3.88;4.2 扩散;扩散是微观粒子作无规则热运动的统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高的地方向浓度低的地方进行，而使得粒子的分布逐渐趋于均匀。扩散的原始驱动力是体系能量最小化。;费克第一定律;费克第二定律 —浓度、时间、空间的关系;费克第二定律;特定边界条件下，扩散方程的解;2、恒定表面源扩散(constant-surface-concentration)：杂质原子由气态源传送到半导体表面，然后扩散进入半导体硅晶片，在扩散期间，气态源维持表面质浓度恒定为Cs;erfc(x) = 1 - erf(x);30;3）杂质浓度梯度;32;3、有限源扩散(constant-total-dopant)：一定量的杂质淀积在半导体表面，接着扩散进入硅晶片内。杂质总量恒定为QT;2）扩散结深;相同表面浓度归一化后，两种分布的比较 —瞬时间，二者相似;高斯函数分布;多步退火（推进）过程（Multiple drive-in process）;二步扩散;因为;余误差函数分布（erfc）;如何判断对费克定律应用何种解析解？ 当表面浓度