自动检测技术及应用第7章霍尔传感器及应用.pptxVIP

会计学1自动检测技术及应用第7章霍尔传感器及应用 2023/1/212§7.1 霍尔元件的结构及工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 一、霍尔效应第1页/共40页 2023/1/213霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间产生霍尔电势。cdab第2页/共40页 2023/1/214二、霍尔效应的工作原理 作用在半导体薄片上的磁场强度B 越强，输入电流越大，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示：EH=KH IB　(KH称为霍尔元件的灵敏度）第3页/共40页 2023/1/215磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 EH=KHIBcos? 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果Ｉ和Ｂ的方向同时改变时霍尔电动势极性不变。 因此霍尔传感器可用来探测磁场和电流，由此还可测量压力、震动等。第4页/共40页 2023/1/216　　KH称为霍尔元件灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度B和单位控制电流I之下的霍尔电势的大小。 一般均要求KH越大越好，KH与组件材料的性质和几何尺寸有关 。　　由于半导体（特别是Ｎ型半导体）的霍尔常数要比金属的大得多，所以在实际应用中，一般都采用N型半导体材料做霍尔元件。 第5页/共40页 2023/1/217三、霍尔元件的结构 在长边的两个端面上焊有两根控制电流端引线（图中1，1′），在元件短边的中间以点的形式焊有两根霍尔电压输出端引线（图中2，2′）。要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无PN结）。 第6页/共40页 2023/1/218　　霍尔元件结构很简单，由霍尔片、四根引线和壳体组成。　　霍尔片一般是矩形半导体单晶薄片，国产霍尔片的尺寸一般为4mm×2mm×0.1mm。　　近年来采用外延及离子注入工艺或采用溅射工艺制造的产品，尺寸小，性能好，并且生产成本低。第7页/共40页 2023/1/219一、霍尔元件的主要特性参数 １）输入电阻Ｒi：霍尔元件两控制电流端的直流电阻。２）输出电阻Ｒo：两个霍尔电动势输出端之间的电阻。３）灵敏度ＫＨ：指元件在单位磁感应强度和单位控制电流下所产生的霍尔电动势。４）不等位电动势Ｕo：在额定控制电流作用下，无外加磁场时，两霍尔输出端之间的开路电压。５）不等位电阻ro：不等位电动势与额定控制电流之比。§7.2 霍尔元件的特性参数及其误差 　第8页/共40页 2023/1/21106）额定控制电流Ic：额定控制电流是使霍尔元件在空气中产生10℃温升的控制电流。大小与霍尔芯片的尺寸有关：尺寸越小，Ic越小。 7）寄生直流电势vg：在不加外磁场时，交流控制电流通过霍尔元件而在霍尔电极之间产生的直流电势。8）霍尔电动势温度系数α：霍尔电动势变化的百分数称为霍尔电动势温度系数。9）电阻温度系数β：电阻温度系数β为温度每变化1℃霍尔元件材料的电阻变化率。第9页/共40页 2023/1/2111二、霍尔元件的误差１）零位误差　不等位电动势　　　　　　　寄生直流电动势　　　　　　　感应零电动势　　　　　　　自激场零电动势２）温度误差注意：不等位电动势是霍尔零位误差中最主要　　　的一种。第10页/共40页 2023/1/2112一、霍尔元件的符号及常用电路 　国产器件常用H代表霍尔元件，后面的字母代表元件的材料，数字代表产品的序号。如HZ-1元件，说明是用锗材料制成的霍尔元件；HT-1元件，说明是用锑化铟材料制成的元件。 §7.3 霍尔集成电路霍尔元件的符号第11页/共40页 2023/1/2113第12页/共40页 2023/1/2114　　在磁场与控制电流的作用下，负载上就有电压输出。建立霍尔效应的所需的时间很短（约10-12～10-14s）, 因此控制电流用交流时，控制电流的频率也可以很高。 １、基本电路 RL可以是一般电阻，也可以是放大器的输入电阻或指示器内阻控制电流由电源Ｅ供给，其大小可以通过调节电阻Ｒ来实现第13页/共40页 2023/1/2115２、恒流工作电路 在恒流工作条件下，没有霍尔元件输入电阻和磁阻效应的影响。 　温度变化引起霍尔元件的输入电阻变化，从而使控制电流发生变化带来误差，为了减少这种误差，常采用恒流源供电。 第14页/共