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自动检测与转换技术概要会计学第1页/共49页第一节 霍尔元件的基本工作原理概述： 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器，得到广泛的应用。可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。特点： 霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 第2页/共49页霍尔效应原理图第3页/共49页霍尔元件 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。（左手定则判断洛伦兹力方向即自由电子偏转方向）IBzADBLdClyUHxA、B-霍尔电极 C、D-控制电极FL第4页/共49页BFLI 设图中的材料是Ｎ型半导体，导电的载流子是电子。在ｚ轴方向的磁场作用下，电子将受到一个沿ｙ轴负方向力的作用，这个力就是洛仑兹力。它的大小为：FL=evB IBADBLdClUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极第5页/共49页 电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力FL方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为式中EH为霍尔电场，e为电子电量，UH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度。当FL = FE时，电子的积累达到动平衡，即FLFE所以第6页/共49页 设流过霍尔元件的电流为 I 时，IBADFEBFLL 式中ld为与电流方向垂直的截面积，n 为单位体积内自由电子数(载流子浓度)。则dClUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极第7页/共49页霍尔系数及灵敏度令 则RH则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度，所以，半导体霍尔系数大于导体。第8页/共49页令 则 KH为霍尔元件的灵敏度。 由上述讨论可知，霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关，还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件灵敏度的公式可知，霍尔元件的厚度d与KH成反比。第9页/共49页通过以上分析可知：1）霍尔电压 UH 与材料的性质有关 n 愈大，KH 愈小，霍尔灵敏度愈低； n 愈小，KH 愈大，但若n太小，需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料第10页/共49页2）霍尔电压 UH 与元件的尺寸有关。 d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但 d 太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 霍尔电压 UH 与控制电流及磁场强度成正比，当磁场改变方向时，也改变方向。IBθADBLCdlUHA、B-霍尔电极 C、D-控制电极第11页/共49页若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为Bcosθ，因此 UH=KHIBcosθ第12页/共49页3）P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在霍尔效应，但极性和N型半导体的相反。4）霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比，只要测出UH ，那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。第13页/共49页第二节 霍尔元件的基本结构和主要特性参数一、霍尔元件的基本结构组成由霍尔片、四根引线和壳体组成，如下图示。第14页/共49页国产霍尔元件型号的命名方法第15页/共49页二、主要特性参数1、输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0和室温（20 5）℃时，用欧姆表等测量。第16页/共49页2、额定激励电流I 和最大激励电流IM霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的激励电流称为额定激励电流I。在相同的磁感应强度下，I值较大则可获得较大的霍尔输出。霍尔元件限制I 的主要因素是散热条件。一般锗元件的最大允许温升ΔTm80℃，硅元件的ΔTm175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的IC就是最大激励电流Im。第17页/共49页3、乘积灵敏度KH其定义 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位激励电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V（AT），它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。第18页/共49页4、不等位电势 UM 和不等位电阻 RM （工艺） 在额定激励电流 I 之下，不加磁B＝0时，霍尔电极间的空载霍尔电势UH≠0，称为不平衡(不等位)电势，单位为mV。一般要求霍尔元件的UH1mV，好的霍尔元件的UH可以小于0.1mV。不等位电势UM和额定激励电流I之比为不等位电阻RM，即 第19页/共49页 不平衡电势UH是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电