半导体二极管和直流稳压电源.pptxVIP

第9章 半导体二极管和直流稳压电源9.1 半导体的导电特性9.2 PN结和半导体二极管9.3 二极管整流电路9.4 滤波电路9.5 稳压管和稳压电路第1页，共64页。第9章 半导体二极管和直流稳压电源 本章要求： 1. 理解PN结的单向导电性， 了解二极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 2. 理解单相整流电路和滤波电路的工作原理及 参数的计算; 3. 了解稳压管稳压电路和串联型稳压电路的工作 原理; 4. 了解集成稳压电路的性能及应用。第2页，共64页。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。第3页，共64页。9.1 半导体的导电特性半导体的导电特性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。第4页，共64页。 Si Si价电子 Si Si 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。共价健晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子，称为价电子。第5页，共64页。 Si Si Si Si自由电子本征半导体的导电机理 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。第6页，共64页。本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。第7页，共64页。 Si Si Si Sip+9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子磷原子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。失去一个电子变为正离子第8页，共64页。 Si Si SiB– Si9.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺入三价元素空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。第9页，共64页。a 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。b 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） ab第10页，共64页。内电场－－－－+++++－－－－－－+++++－－－－++++－－－－++++++－－++－－++－－9.2 PN结和半导体二极管 PN结的形成 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区也称 PN 结 少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区 扩散的结果使空间电荷区变宽。第11页，共64页。－+－－－－－+++++－+－－－－－++++++－－－－－++++－+N内电场P–+外电