半导体物理第五章(教材).pptxVIP

1第五章 非平衡载流子 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。在非简并情况下，电子、空穴浓度的乘积为：该式说明，在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。该式适用于本征半导体材料和杂质半导体材料。也是非简并半导体处于热平衡状态的判据式。第1页，共130页。 2 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，就导致其处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度不再是n0、p0，而是比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子(或过剩载流子)。第2页，共130页。 35.1 非平衡载流子的注入与复合5.2 非平衡载流子的寿命5.3 准费米能级5.4 复合理论5.5 陷阱效应5.6 载流子的扩散运动5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式5.8 连续性方程第3页，共130页。 4非平衡载流子的产生、复合、寿命准费米能级复合理论非平衡载流子的运动规律扩散方程爱因斯坦关系式连续性方程本章重点第4页，共130页。 55.1 非平衡载流子的注入与复合一、非平衡载流子的产生 对半导体施加外部作用使其内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的注入。 产生非平衡载流子的方法有：光注入：用光照使半导体内部产生非平衡载流子的方法， 称为非平衡载流子的光注入。电注入高能粒子辐照其它能量传递方式第5页，共130页。 61. 光注入第6页，共130页。 72. 非平衡载流子浓度的表示法第7页，共130页。 83. 大注入和小注入 小注入情况下，非平衡少子浓度可以比平衡少子浓度大得多，其作用显著，而非平衡多子的作用可忽略。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。第8页，共130页。 9二、非平衡时的附加电导第9页，共130页。 10第10页，共130页。 11 产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。三、非平衡载流子的复合第11页，共130页。 12热平衡不是绝对静止的状态。就半导体中的载流子而言，任何时候电子和空穴总是不断地产生和复合。在热平衡状态，产生和复合处于相对的平衡，每秒种产生的电子和空穴数目与复合掉的数目相等，从而保持其浓度稳定不变；光照半导体时，打破了产生与复合的相对平衡，产生超过复合而导致一定的净产生，在半导体中产生了非平衡载流子，半导体处于非平衡态；第12页，共130页。 13光照停止时，半导体中仍然存在非平衡载流子。由于电子和空穴的数目比热平衡时的增多了，它们在热运动中相遇而复合的机会也将增大。这时复合超过了产生而导致一定的净复合，非平衡载流子逐渐消失，最后恢复到平衡值，半导体又回到了热平衡状态。第13页，共130页。 14掺杂、改变温度和光照激发都可以改变半导体的电导率，试从三者的物理过程说明其区别。思考题第14页，共130页。 155.2 非平衡载流子的寿命一、寿命的概念 非平衡载流子的复合率：单位时间单位体积内净复合消失的 电子-空穴对数，为Δp/τ或Δn/τ第15页，共130页。 16 设一束光在一块n型半导体内部均匀地产生非平衡载流子Δn、Δp。在t＝0时刻，光照突然停止，Δp将随时间而变化：与Δp(t)无关第16页，共130页。 17非平衡载流子随时间的衰减寿命是重要的结构灵敏参数第17页，共130页。 18二、寿命的意义寿命标志非平衡载流子浓度减小到原值的1/e所经历时间第18页，共130页。 19 通常寿命是用实验方法测量的。各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。不同的注入和检测方法的组合就形成了许多寿命测量方法。最常用的注入方法是光注入和电注入；检测非平衡载流子的方法很多：常用的测量寿命的方法有直流光电导衰减法、光磁电法(利 用半导体的光磁电效应的原理，该方法适合于测量短的寿 命，在砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中用得最多；还有扩散长度法、双脉冲法及漂移法等。 不同的材料寿命很不相同。纯度和完整性特别好硅、锗材料，寿命分别可达103μs、104μs；砷化镓的寿命极短，约为10-5～10-6μs，或更低。即使是同种材料，在不同的条件下