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《微电子制造技术》课程教学大纲 课程代码：ABJD0514 课程中文名称:微电子制造技术 课程英文名称：Microelectronics Manufacturing Technology 课程性质：选修 课程学分数：2.5 学费呢 课程学时数：40 学时 授课对象：电子科学与技术专业 本课程的前导课程：固体物理，半导体物理，微电子技术基础 一、课程简介 《微电子制造技术》是一门电子科学与技术专业的核心专业课程，所涉及到的专业技术内 容有：集成电路制备的薄膜制备、光刻、掺杂、热处理等基础工艺，集成电路制造领域内新材料 的制备工艺原理，改变集成电路制造领域内材料层属性的工艺，以及封装和污染控制等基础微 电子制造技术。旨在培养电子科学与技术专业的学生，能够成为在微电子制造行业内掌握相关 理论基础和了解系统制备工艺技术的人才，使得学生可以胜任微电子制造行业内的新材料和新 技术的研发、设计、工艺制备和性能测试等方面的生产和研究工作。 二、教学基本内容和要求 第一章 集成电路制造工艺概述 主要教学内容：（1）、集成电路的发展历史与未来趋势；（2 ）、集成电路设计简介；（3 ）、 集成电路的四项基础工艺概述。 教学要求 1）掌握集成电路的工艺设计和版图设计。 2 ）了解集成电路制备的薄膜制备、光刻、掺杂、热处理等基础工艺。 重点：集成电路的设计。 难点：薄膜制备、光刻、掺杂、热处理等几项基础工艺特征。 第二章 集成电路有源元件和工艺流程 主要教学内容： （1）半导体元器件的生成； （2 ）集成电路的形成； （3 ）集成电路的制造工艺。 教学要求： 1）了解半导体元器件的生成。 2 ）了解集成电路的形成。 3 ）掌握双极型硅晶体管工艺、TTL 集成电路的工艺、MOS 器件工艺、Bi-CMOS 工艺。 重点：了解半导体元器件的生成和集成电路的形成。 难点：掌握双极型硅晶体管工艺、TTL 集成电路的工艺、MOS 器件工艺、Bi-CMOS 工艺。 第三章 新材料生成类工艺 主要教学内容：（1）物理气相淀积；（2 ）化学气相淀积；（3 ）硅外延和多晶硅的化学气相淀 积；（4 ）化学气相淀积二氧化硅薄膜；（5 ）化学气相淀积氮化硅薄膜；（6 ）金属化；（7 ）薄膜 的台阶覆盖；（8 ）薄膜性能表征；（9 ）真空技术。 教学要求 1）理解物理气相沉积和化学气相淀积的基本工艺原理。 2 ）了解多晶硅、二氧化硅、氮化硅薄膜的物理或化学气相淀积的制备工艺。 3 ）掌握薄膜性能表征和真空度测量的方法。 重点：真空技术基础；多晶硅、二氧化硅、氮化硅薄膜的制备技术。 难点：物理气相淀积、化学气相淀积的工艺原理；薄膜的性能表征技术 第四章 改变材料层属性的工艺（ Ⅰ） 主要教学内容：（1）热氧化工艺；（2 ）热氧化原理；（3 ）杂质扩散；（4 ）离子注入。 教学要求 1）了解改变材料层属性的几种工艺方法。 2 ）掌握改变材料层属性的工艺原理。 重点：杂质扩散、离子注入法改变材料层属性。 难点：杂质扩散的 Fick 扩散方程和杂质分布。 第五章 改变材料层属性的工艺（ Ⅱ） 主要教学内容：（1）刻蚀工艺与技术；（2 ）二氧化硅刻蚀；（3 ）多晶硅刻蚀；（4 ）氮化硅 刻蚀；（5 ）刻蚀设备； 教学要求： 1）掌握微电子材料刻蚀的种类和工艺原理； 2 ）了解微电子材料刻蚀的基本工艺过程； 3 ）了解刻蚀设备的总体结构。 重点：掌握改变材料属性的刻蚀的工艺流程，了解刻蚀设备的总体结构。 难点：理解刻蚀的工艺原理，掌握二氧化硅刻蚀、多晶硅刻蚀、氮化硅刻蚀的工艺及特点。 第六章 微电子制造新颖性工艺技术 主要教学内容：（1）SiGe 材料与技术；（2 ）SiGe HBT 器件及制造工艺；（3 ）HBT 平面集成 工艺；（4 ）应变硅的基本概念；（5 ）应变硅技术及应用；（6 ）ALD 生长机理；（7 ）ALD 技术的 应用；（7 ）激光退火与超浅结制作。 教学要求： 1）了解新颖性 SiGe 材料、SiGe HBT 器件及制造工艺。 2 ）掌握应变硅的基本概念，应变硅技术及应用。 3 ）了解ALD 生长机理及技术应用。 4 ）了解激光退火与超浅结制作