可控硅分析和总结.docxVIP

双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。图 1 为双向可控硅的基本结构及其等效电路，它有两个主电极 T1 和 T2，一个门极 G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第 1 和第 3 象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。 图 1 双向可控硅结构及等效电路双向可控硅应用 为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当 选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 ·耐压级别的选择：通常把 VDRM（断态重复峰值电压）和 VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的 2~3 倍，作为允许的操作过电压裕量。 ·电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小， 因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的 2~3 倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压 VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的 IDRM 和 IRRM。 ·通态（峰值）电压 VTM 的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择 VTM 小的可控硅。 ·维持电流：IH 是维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则 IH 越小。 ·电压上升率的抵制：dv/dt 指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容，如图 2 所示。我们知道 dv/dt 的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为 Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。 图 2 双向可控硅等效示意图 切换电压上升率 dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出，如图 3 所示。 图 3 切换时的电流及电压变化 高 dVCOM/dt 承受能力受二个条件影响： dICOM/dt—切换时负载电流下降率。dICOM/dt 高，则 dVCOM/dt 承受能力下降。 结面温度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如双向可控硅的 dVCOM/dt 的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在 T1 和 T2 间装置 RC 缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用 47~100Ω 的能承受浪涌电流的碳膜电阻， 0.01μ F~0.47μ F 的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压 5-6 倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。 断开状态下电压变化率 dvD/dt。若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）作用很高的电压变化率，尽管不超过 VDRM，电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。假如发生这样的 问题，T1 和 T2 间（或阳极和阴极间）应该加上 RC 缓冲电路，以限制 dvD/dt。 ·电流上升率的抑制：电流上升率的影响主要表现在以下两个方面： ①dIT/dt（导通时的电流上升率）—当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的 dIT/dt 可能导致局部烧毁，并使 T1-T2 短路。假如过程中限制 dIT/dt 到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的 dIT/dt 有可能被超出，可在负载上串联一个几 μ H 的不饱和（空心）电感。 ②dICOM/dt (切换电流变化率) —导致高 dICOM/dt 值的因素是:高负载电流、高电网频率（假设正弦波电流）或者非正弦波负载电流,它们引起的切换电流变化率超出最大的允许值，使双向可控硅甚至不能支持 50Hz 波形由零上升时不大的 dV/dt，加入一几 mH 的电感和负载串联，可以限制 dICOM/dt。 ·为了解决高 dv/dt 及 di/dt 引起的问题，还可以使用 Hi-Com 双向可控硅， 它和传统的双向可控硅的内部结构有差别。差别之一是内部的二个“闸流管” 分隔得更好，减少了互相的影响。这带来下列好处： ①