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半导体制造工艺基础 第六章 扩散原理 (上) 半导体制造工艺基础 第六章 扩散原理 (上) 半导体制造工艺基础 第六章 扩散原理 (上) 半导体制造工艺基础 第六章 扩散原理 (上) 掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 掺杂应用： B E C p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT p well NMOS * 第一页，共三十七页。 基本概念 结深 xj （Junction Depth） 薄层电阻 Rs （Sheet Resistance ） 杂质固溶度（Solubility) * 第二页，共三十七页。 杂质分布形状（doping profile）举例 * 第三页，共三十七页。 1、结深的定义 xj : 当 x = xj 处 Cx（扩散杂质浓度）= CB（本体浓度） 器件等比例缩小k倍，等电场要求xj 同时缩小k倍 同时 要求xj 增大 在现代COMS技术中，采用浅结和高掺杂来同时满足两方面的要求 * 第四页，共三十七页。 2、薄层电阻 RS（sheet resistance） 方块电阻 t l w 薄层电阻定义为 * 第五页，共三十七页。 方块时，l＝w，R＝RS