第三章 存储器.ppt

3.5 并行存储器 由于CPU和主存储器在速度上不匹配，而且在一个CPU周期中可能需要用几个存储器字，为了提高访存速度，可以采取一些加速CPU和存储器之间有效传输的特殊措施。 第31页，共65页。 单体多字存储器 在单体单字的基础上，采用提高存储器带宽的办法（增加主存的存取信息宽度），使 CPU 在一个存储周期内不是读出一个字，而是读出顺序的多个字，使存储系统的工作速度得到改善。 W位 n位 MDR MAR MB 单体单字存储器 W位 W位 W位 W位 W位 m位 MAR MB MDR 单字长寄存器 单体多字存储器 第32页，共65页。 特点：在单体多字存储器中要求信息（指令或数据）必 须按顺序存放，才能一次并行读出，使存储器的 速度最高。若信息未按顺序存放，则要多次访问 主存，使主存的带宽降低。 双端口存储器 双端口存储器是指同一存储器具有两组相互独立的读写控制线路，是一种高速工作的存储器。 双端口存储器提供左、右两个独立端口，分别具有独立的地址、数据和控制线，可对存储器任意单元中数据进行独立存取操作。图中，用 L 表示左端口，用 R 表示右端口。 第33页，共65页。 （1）无冲突读写控制 当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时，就可对整个存储器进行存取，每一个端口都有自己的片选控制和输出驱动控制。 第34页，共65页。 （2）有冲突的读写控制 有冲突的读写控制：当两个端口同时存取存储器同一存储单元时，便发生读写冲突。为解决此问题，特设置了BUSY标志。由片上的判断逻辑决定对哪个端口优先进行读写操作，而暂时关闭另一个被延迟的端口。 多模块交叉存储器 由若干个模块组成的主存储器，采用线性编址，地址在各模块有两种安排方式：一种是顺序方式，一种是交叉方式。 第35页，共65页。 （1）顺序方式 用地址高位选择模块，用地址低位选择模块内的字，每次访问一个字。某模块存取时，其他模块不工作，某一模块出现故障时，其他模块可以照常工作。这种方式通过增添模块扩充存储器容量较方便，但各模块串行工作，存储器的带宽受到限制。但该方式适用于多机系统。 例10： M0－M3共四个模块，则每个模块8个字顺序方式为：? M0： 0—7 ??????M1：8－15 ??????????????? M2：16－23 ????M3：24－31 5位地址组织如下： X X??? X X X 高位选模块，低位选块内地址。 第36页，共65页。 4 3 2 1 0 内存地址 M0 M1 M2 M3 顺序方式存储结构 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 模 块 字 数据总线 第37页，共65页。 （2）交叉方式 指存储器由多个模块组成，每个模块都有自己的MAR和MDR，各模块之间采用交叉编址。通过对不同的模块给定不同地址的方式，实现对多个字的并行读出。 特点：连续地址分布在相邻的不同模块内，同一个模块内的地址都是不连续的。只要各模块地址不发生冲突，哪怕信息未顺序存放，仍能并行读出。因此该方式的带宽比单体多字方式的带宽要高。 这种方式用地址低位选择模块，用地址高位选择模块内的字，每次访问若干字。特别适合对连续字的成块传送，可实现多模块流水式并行存取，大大提高存储器的带宽。使用场合为成批数据读取。 第38页，共65页。 （a）交叉编址（低位交叉）方法： 设存储器有m个模块，每个模块的容量为k。 则第i个模块Mi的编址为： m * j + i 其中：单元号 j = 0，1，…，k – 1。 模块号 i = 0，1，…，m –1 。 存储器总容量： S = m * k 地址码长度：n = log2k + log2m 例11：设