薄膜的物理气相沉积(Ⅰ)-蒸发法.pptxVIP

第三章 薄膜制备技术-蒸发法;真空蒸发;二、真空蒸发的设备;二、真空蒸发的设备;二、真空蒸发的设备;三、汽化热和蒸汽压 ;物质的饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态相平衡时所呈现的压力。 物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，一定的饱和蒸气压则对应着一定的温度。规定物质在饱和蒸气压为1.3Pa时的温度，称为该物质的蒸发温度。 ;;单位物质表面的质量蒸发速度: ; 1、元素的蒸汽压 克劳修斯-克莱普朗方程： 物质平衡蒸汽压P随温度的变化率为： ;lgP与1/T基本满足线性关系;图2.1 a 元素的平衡蒸汽压随温度的变化曲线 （点表示相应元素的熔点）;? 液相蒸发 对大多数金属，温度达到熔点时，其平衡气压低于10-1 Pa,需将物质加热到熔点以上 ? 固相升华 在熔点附近，固体的平衡蒸汽压已相对较高，如 Cr, Ti, Mo, Fe, Si等，可以直接利用由固态物质的升华，实现物质的气相沉积;2、化合物的蒸发 化合物蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分，各元素间将发生化合或分解过程： ; 3、金属合金的蒸发 金属合金的蒸发也会发生成分的偏离，但合金中原子间的结合力小于化合物中原子间的结合力，实际蒸发过程可视为各元素独立蒸发过程，可由热力学定律来描述： ;实际合金的蒸气压之比更加偏离合金中的原始组分之比。 PA = ?A ? APA(0) ；PB = ?B ? BPB(0) ； －?A， ?B 分别为元素A、B在合金中的活度系数 合金中A、B组元的蒸发速率之比为 对于初始成分确定的蒸发源，易于蒸发的组元优先蒸发，造成该组元的不断贫发，造成该组元的蒸发速率下降。 实际采取的措施：采用双源或多源，分别加热至不同温度来控制每一组元的蒸发速率。 ;4、多组分薄膜的蒸发方法 利用蒸发法制备多组分薄膜的方法主要有三种方法 （1）单源蒸发法：先按薄膜组分比例的要求制成合金靶，然后 对合金靶进行蒸发、沉积形成固态薄膜。基本要求是合金靶中各组分材料的蒸汽压比较接近。 （2）多源同时蒸发法：利用多个坩埚，在每个坩埚中放入薄膜所需的一种材料，在不同温度下同时蒸发??? （3）多源顺序蒸发法：把薄膜所需材料放在不同坩埚中，但不是同时蒸发，而是按顺序蒸发，并根据薄膜组分控制相应的层厚，然后通过高温退火形成需要的多组分薄膜。 ;五、元素、化合物、合金蒸发的特点 ;六 真空蒸发源;1、电阻式加热蒸发 普通电阻加热： 利用一些高熔点、低蒸气压的金属（W，Mo, Ta等）制成各种形状的加热器；一方面作为加热，同时支撑被加热的物质。（低压大电流） ;六 真空蒸发源;;加热装置的分类和特点： （1）丝状（0.05-0.13cm)，蒸发物润湿电阻丝，通过表面 张力得到支撑。只能蒸发金属或合金；有限的蒸发材料被蒸发；蒸发材料必须润湿加热丝；加热丝容易变脆。 （2）凹箔：蒸发源为粉末。 （3）锥形丝筐蒸发小块电介质或金属。;缺点 （1）加热装置与蒸发物会反应 （2）难以蒸发电介质材料（Al2O3,Ta2O5,TiO2等） （3）蒸发率低 （4）加热蒸发时合金和化合物会分解。 ;2、电子束加热装置及特点 电子束通过5-10KV 的电场后被加速，然后聚焦到被蒸发的材料表面，把能量传递给待蒸发的材料使其熔 化并蒸发。 无污染：与坩埚接触的待蒸发材料保持固态不变，蒸发材料与坩埚发生反应的可能性很小。（坩埚水冷）;难熔物质的蒸发： 适合制备高纯，难熔物质薄膜 可同时安置多个坩埚，同时或分别蒸发多种不同物质。 大部分电子束蒸发系统采用磁聚焦或磁弯曲电子束，蒸发物质放在水冷坩埚内，可以制备光学、电子和光电子领域的薄膜材料。 如Mo、Ta、Nb、MgF2、Ga2Te3、TiO2、Al2O3、SnO2、Si等等。;3、激光加热蒸发 利用激光作为热源使待蒸发材料蒸发。 激光蒸发属于在高真空条件下制备薄膜的技术。激光源放在真空室外边，激光束通过真空室窗口打到待蒸发材料上使其蒸发，沉积在衬底上。 适合制备高纯，难熔物质薄膜 ;六 真空蒸发源;六 真空蒸发源;可用来制备光学薄膜 Sb2S3, ZnTe, MoO3, PbTe, Ge, Si 制备陶瓷薄膜：Al2O3, Si3N4, 氧化物薄膜：SnO2，ZnO 超导薄膜YBCO 注：Sb(锑ti) Te(碲）;4、电弧加热蒸发 利用电弧放电加热 无污染 适合制备高纯，难熔导电物质薄膜 缺点：产生微米级的电极颗粒 原理：用欲蒸发的材料做电极，通过调节真空室内电极间的距离来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积; 在较低的反应气体压