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将引起阻挡层的变化？ 第六十三页，共九十四页，2022年，8月28日 正偏时，各电量的变化？ PN结正偏时：阻挡层变薄 ？ 第六十四页，共九十四页，2022年，8月28日 正偏→正向电流 多子扩散运动形成的扩散电流 内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流 PN结正偏时： 第六十五页，共九十四页，2022年，8月28日 外加正偏置电压时载流子浓度分布变化 在正向偏置电压的作用下，P区中的多子空穴将源源不断地通过阻挡层注入到N区，成为N区中的非平衡少子，并通过边扩散、边复合，在N区形成非平衡少子的浓度分布曲线 第六十六页，共九十四页，2022年，8月28日 2. P型半导体 所掺入3价元素称为受主杂质，或P型杂质。 在本征 G e 中掺入微量3价元素后形成的杂质半导体称为 P型半导体。 第三十一页，共九十四页，2022年，8月28日 第三十二页，共九十四页，2022年，8月28日 杂质元素能否成为载流子？ 第三十三页，共九十四页，2022年，8月28日 P型半导体中 多子→ 空穴 第三十四页，共九十四页，2022年，8月28日 P型半导体动态平衡载流子浓度 温度一定时，两种载流子的产生和复合 将达到平衡。 第三十五页，共九十四页，2022年，8月28日 P型半导体中，空穴为多子（多数载流子），自由电子为少子（少数载流子）。 第三十六页，共九十四页，2022年，8月28日 少子浓度随温度的变化是影响半导体器件性能的主要原因。 温度上升时，多子浓度几乎不变，而少子浓度则迅速增加。 第三十七页，共九十四页，2022年，8月28日 1.1.3 半导体中的漂移电流和扩散电流 漂移电流形成的条件？ 扩散电流形成的条件？ 自由电子形成的电流？ 空穴形成的电流？ 第三十八页，共九十四页，2022年，8月28日 1. 漂移电流 外加电场时，载流子在电场力的作用下形成定向运动，称为漂移运动，并由此产生电流，称为漂移电流。 漂移电流为两种载流子漂移电流之和，方向与外电场一致。 第三十九页，共九十四页，2022年，8月28日 漂移电流密度 电子漂移电流密度： 空穴漂移电流密度： （通过单位截面积的漂移电流） 第四十页，共九十四页，2022年，8月28日 总的漂移电流密度 ： ？ 第四十一页，共九十四页，2022年，8月28日 2. 扩散电流 半导体中出现载流子的浓度差时，载流子由高浓度区域向低浓度区域所作的定向运动称为扩散运动，由此形成的电流称为扩散电流。 第四十二页，共九十四页，2022年，8月28日 扩散电流密度 第四十三页，共九十四页，2022年，8月28日 迁移率与扩散系数的关系 迁移率 μ 与扩散系数 D 表示半导体中载流子定向运动的难易程度,影响半导体器件的工作频率。 两者之间遵循爱因斯坦关系式： 第四十四页，共九十四页，2022年，8月28日 1.2 PN结 1.2.1 动态平衡时的PN结 同时两类半导体中还存在少量电子空穴对，但其中正负电荷数量相等，呈电中性。 室温下，N 型半导体中含施主杂质，并电离为自由电子和正离子 P 型半导体中含受主杂质，并电离为空穴和负离子。 第四十五页，共九十四页，2022年，8月28日 1. PN结的形成 将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体,半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。 第四十六页，共九十四页，2022年，8月28日 第四十七页，共九十四页，2022年，8月28日 第四十八页，共九十四页，2022年，8月28日 空间电荷区 第四十九页，共九十四页，2022年，8月28日 PN结 空间电荷区→ 耗尽层 阻挡层 势垒区 第五十页，共九十四页，2022年，8月28日 内建电场 内电场E ：N区 P区 第五十一页，共九十四页，2022年，8月28日 内电场E的影响 （1）阻止两区多子的扩散； （2）促使两区少子越结漂移； 第五十二页，共九十四页，2022年，8月28日 （3）扩散电流减小，漂移电流增加，漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。 第五十三页，共九十四页，2022年，8月28日 阻挡层宽度与阻挡层两边的电荷量有关？ 空间电荷区 阻挡层 第五十四页，共九十四页，2022年，8月28日 阻挡层宽度可反映内建电场强度，当PN结交界面处的截面积S一定时，阻挡层越宽，形成的带电离子电荷量越大。 阻挡层在P区边的负电荷量为： 阻挡层在N区边的正电荷量为： 两者的绝对值相等 阻挡层两侧的宽度与掺杂浓度的关系： 第五十五页，共九十四页，2022年，8月28日 阻挡