薄膜气相淀积工艺.pptVIP

各种类型 CVD 反应器及其主要特点 第30页，共81页。 典型物质淀积简介 SiO2生长： 低温CVD氧化层：低于500℃ 中等温度淀积：500～800℃ 高温淀积：900℃左右 一、二氧化硅（SiO2）薄膜 第31页，共81页。 1.SiO2的用途 非掺杂SiO2:用于离子注入或扩散的掩蔽膜， 多层金属化层之间的绝缘，场区氧化层 掺杂SiO2:用于器件钝化，磷硅玻璃回流， 将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源 第32页，共81页。 2.淀积SiO2的方法: 硅烷法和TEOS法 A.硅烷和氧反应 低压化学气相淀积(LPCVD) ：＜500℃ SiH4+O2 SiO2 +2H2 4PH3+5O2 2P2O5 +6H2（钝化层sio2） 400℃ 400℃ 第33页，共81页。 TEOS是正硅酸乙脂。分子式为Si(C2H5O) 4，室温下是一种液体。可以直接分解生成SiO2层。 650～750℃ Si(OC2H5)4 SiO2 +4C2H4+2H2 用TEOS分解法具有温度低，均匀性好，台阶覆盖优良、 膜质量好等优点 另一种是通过TEOS与O2/O3反应，来得到SiO2。 Si(OC2 H5)4+O2→SiO2 +副产物，产物平整度很好， 但反应温度一般大于600℃。