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- 2023-04-05 发布于广东
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;;B;B;B;B;B;B;IB=IBN+IEP-ICBO?IBN;图 晶体管内部载流子运动与外部电流;二、晶体管的电流分配关系;为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系,定义共发射极直流电流放大系数为 ;确定了 值之后,可得;为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系,定义共基极直流电流放大系数 为
; 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系,只是选取的参考量不同,所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得;BJT的三种组态;IC;一、共发射极输入特性;UCE ?1V;二、共发射极输出特性曲线;IC(mA );1放大区
e结为正偏,c结为反偏的工作区域为放大区。在放大区有以下两个特点:
(1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用,即iB有很小的变化量ΔIB时, iC就会有很大的变化量ΔIC。为此,用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制能力。β定义为
反映在特性曲线上,为两条不同IB曲线的间隔。
; (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为,iB一定而uCE增大时,曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大,c结反向电压增大,使c结展宽,所以有效基区宽度变窄,这样基区中电子与空穴复合的
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