06年B卷分析和总结.docxVIP

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《电力电子技术基础》试卷 注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚； 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 考试形式：闭卷； 题 号得 分评卷人一二三四五总分本试卷共 大题，满分 100 题 号 得 分 评卷人 一 二 三 四 五 总分 一． 选择题（单选，共 10 分） 关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是( ) A．IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大 IGBT 是由 MOSFET 和 GTR 复合而制成的 IGBT 工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换 开关频率介于GTR 和MOSFET 之间2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是( ) A．90° B．120° C．150° D．180° 单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为( ) 2 X I ? B d 1 X I B d 3 X I 2? B d X I ? B d 下列电路中，不可以实现有源逆变的是( ) A．单相双半波可控整流电路 B．单相桥式半控整流电路C．单相桥式全控整流电路 D．三相桥式全控整流电路 下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是( ) 三相半波 B．单相双半波 C．三相桥式 D．十二相整流6．电压型逆变电路的特点不包含( ) A．直流侧接大电感 B．交流侧电流接正弦波 C．直流侧电压无脉动 D．直流侧电流有脉动7．斩波电路实现调压的方法是 ( ) A．改变开关频率 B．改变开关周期 C．改变占空比 D．改变负载电流 8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压( ) A．90o B．120o C．180o D．240o 9．交－交变频电路的最高工作频率为（ ） A.电源频率的 2 倍到 3 倍 B. 电源频率的 1 2 倍到 1 倍 3 号位座业专___ 号位座 业专 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 线 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ) 院学 题 ? 答 ? 不 ? 封 内 ? ? 线 ? 封 ? 密 ? ? ( 号学 名姓 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 密 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 《 》试卷第 1 页 共 6 页 《》试卷第 《 》试卷第 PAGE 2 页 共 6 页 SPWM 的电路基波是 ( ) A．正弦波 B．三角波 C．锯齿波 D．方波 二．是非判断题（共 10 分） “电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。????( ) 达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管属电压驱动型开关管。?????????????????( ) 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。???????????( ) 4．导致开关损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障。???????( ) 对于三相半波整流电路，电阻性负载，当Id 一定时，流过晶闸管的电流有效值IT随控制角α 的增加而增加。??????????????????????( ) 对于三相半波整流电路电阻性负载，当α ＝45o， u 2 ? 100 V 时，输出电压平均值约 为 85V 。????????????????????????????( ) 在SPWM 控制的逆变电路中，载波频率越高，谐波频率也就越高，高次谐波也就越容易滤除。???????????????????????????( ) 在 GTR 的驱动电路设计中，为了使 GTR 快速导通，应尽可能使基极驱动电流大些。?????????????????????????????( ) 尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。?????( ) 在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失 败。?????????????????????????????( ) 三．填空题（每题 3 分，共 15 分） 正弦脉宽调制（SPWM）技术用于电压型逆变电路中，当改变 可改变逆变器输出电压幅值；改变 可改变逆变器输出电压频率；改变 可改变开关管的工作频率。 三相桥式可控整流电路，若输入电压为 u 2 ? 100 sin ? t ，电阻性负载