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一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管.pdf

    本发明公开了一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管，由下至上依次包括：p‑GaN、p‑AlGaN、Inx1Ga1‑x1N/GaN多量子阱有源区、n‑GaN、非掺杂氮化镓、GaN成核层、双抛蓝宝石衬底、GaN成核层、非掺杂氮化镓、Inx2Ga1‑x2N/GaN多量子阱有源区。在p‑GaN和n‑GaN层分别设置p型和n型欧姆电极。整个白光发光二极管为倒装结构。本发明中，电子空穴主要注入Inx1Ga1‑x1N/GaN多量子阱有源区发光，发光波长为370‑480nm。而上层的Inx2Ga1‑x2N/Ga

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903837 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111281682.4 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人 东南大学

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