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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、SiC基板背面CVDSiO2层；S2、在SiO2层表面键合硅基载板；S3、于SiC基板正面完成除高温制程外的其他晶圆正面制程；S4、将SiC基板放置在石墨托盘中，通过蚀刻除去SiO2层；S5、取出硅基载板；S6、将石墨托盘及SiC基板放入高温炉管中完成高温制程；S7、再次通过CVD于SiC基板正面沉积SiO2层；S8、在SiO2层表面再次键合硅基载板；S9、翻转硅基载板，进行后续晶圆制程。本发明利
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903658 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111162144.3
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司
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