三极管开关特性经典.pptxVIP

三极管开关特性经典第1页/共15页 2. 1. 1 理想开关的开关特性一、 静态特性1. 断开2. 闭合2. 1 半导体二极管 、三极管和 MOS 管的开关特性 SAK第2页/共15页 二、动态特性1. 开通时间：2. 关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒SAK第3页/共15页 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性一、静态特性1. 外加正向电压(正偏)二极管导通(相当于开关闭合)2. 外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)硅二极管伏安特性阴极A阳极KPN结-AK+P区N区++++++++--------正向导通区反向截止区反向击穿区0.50.7/mA/V0第4页/共15页 D+-+-二极管的开关作用：[例]uO = 0 VuO = 2.3 V电路如图所示，　　试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通[解]D0.7 V+-第5页/共15页 二、动态特性1. 二极管的电容效应结电容 C j扩散电容 C D2. 二极管的开关时间电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成tt00(反向恢复时间)≤ton — 开通时间toff — 关断时间第6页/共15页 一、静态特性NPN2. 1. 3 半导体三极管的开关特性发射结集电结发射极emitter基极base集电极collectorbiBiCec(电流控制型)1. 结构、符号和输入、输出特性(2) 符号NNP(Transistor)(1) 结构第7页/共15页 (3) 输入特性(4) 输出特性iC / mAuCE /V50 μA40μA30 μA20 μA10 μAiB = 00 2 4 6 8 4321放大区截止区饱和区0uBE /ViB / μA发射结正偏放大i C= ? iB集电结反偏饱和 i C ＜ ? iB两个结正偏I CS= ? IBS临界截止iB ≈ 0, iC ≈ 0两个结反偏电流关系状态 条 件第8页/共15页 2. 开关应用举例发射结反偏 T 截止发射结正偏 T 导通+?RcRb+VCC (12V)+uo?iBiCTuI3V-2V2 k?2.3 k?放大还是饱和？第9页/共15页 饱和导通条件：+?RcRb+VCC +12V+uo?iBiCTuI3V-2V2 k?2.3 k?≤因为所以第10页/共15页 二、动态特性3-2t00.9ICS0.1ICSt030.3t0第11页/共15页 2. 1. 4 MOS 管的开关特性(电压控制型)MOS（Mental – Oxide – Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管一、 静态特性1. 结构和特性：(1) N 沟道 栅极 G漏极 DB 源极 S3V4V5VuGS = 6ViD /mGS /ViD /mA43210246810uDS /V可变电阻区恒流区UTNiD开启电压UTN = 2 V+-uGS+-uDS衬底漏极特性转移特性uDS = 6V截止区第12页/共15页 　　P 沟道增强型 MOS 管与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G漏极 DB 源极 SiD+-uGS+-uDS衬底iD /mAiD /mA-2-40-1-2-3-40-10-8-6-4-2- 3V- 4V- 5VuGS = - 6V-1-2-3-4-6uGS /VuDS /V可变电阻区恒流区 漏极特性 转移特性截止区UTPuDS = - 6V开启电压UTP = - 2 V参考方向第13页/共15页 2. MOS管的开关作用：(1) N 沟道增强型 MOS 管+VDD+10VRD20 k?BGDSuIuO+VDD+10VRD20 k?GDSuIuO开启电压UTN = 2 ViD+VDD+10VRD20 k?GDSuIuORONRD第14页/共15页 谢谢观看！第15页/共15页