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一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的难以耗尽栅极下方的沟道载流子浓度以实现增强型器件的问题。该半导体结构，包括：依次叠加的沟道层以及势垒层，其中所述势垒层的表面定义有栅极区域；形成于所述栅极区域的多个沟槽，其中所述多个沟槽延伸至所述沟道层内；以及填充在所述多个沟槽中的应力施加材料；其中，所述应力施加材料大于所述沟道层的晶格常数。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113994481 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 201980097568.0 (74)专利代理机构 北京布瑞知识产权代理有限

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