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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

    本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一上接触点、一上导电层、多个多孔隔离层、多个第一框架层以及一第二框架层；该上接触点位在该基底上；该上导电层位在该上接触点上；所述多孔隔离层位在该上接触点的两侧上；所述第一框架层位在所述多孔隔离层的各下表面上以及在所述多孔隔离层的各侧壁上；该第二框架层位在该上接触点与所述多孔隔离层之间、位在该上接触点的下表面上以及位在所述多孔隔离层的上表面上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068672 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110647081.4 (22)申请日 2021.06.10 (30)优先权数据 16/984,82

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