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一种分裂栅MOS器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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一种分裂栅MOS器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种分裂栅MOS器件及其制备方法，其中分裂栅MOS器件包括衬底，衬底上从下往上依次设有第一导电类型的第一外延层、第二外延层和第三外延层，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层的掺杂浓度，第一外延层、第二外延层和第三外延层组成分裂栅MOS器件的漂移区，通过设置第二外延层的掺杂浓度分别大于第一外延层的掺杂浓度和第三外延层的掺杂浓度，第一方面高掺杂浓度的第二外延层可以加强漂移区的电场调制作用，增加分裂栅MOS器件的耐压；第二方面

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068680 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111551968.X (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人 无锡市捷瑞微电子有限公司

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