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单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列.pdf

    本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038865 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111308721.5 (22)申请日 2021.11.05 (30)优先权数据 63/153,96

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