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二极管及其电路4第1页/共59页 2二极管及其电路、分析Ch1. Semiconductor Materials and Diodes1.1 Semiconductor Materials and Properties1.2 The PN Junction1.4 Diode Circuits - AC Equivalent Circuit1.3 Diode Circuits - DC Analysis and Models1.5 Other Diode TypesCh2. Diode Circuits2.1 Rectifier Circuits2.2 Zener Diode Circuits2.4 Multiple-Diode Circuits2.3 Clipper and Clamper Circuits2.5 Photodiode and LED Circuits问题1：二极管(PN结)主要特性是什么？其工程描述方法？问题2：二极管电路(非线性)的分析方法?最常用的是？问题3：常用的二极管电路及功能？第2页/共59页 31.1 Semiconductor Materials and Properties1.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1.2 Extrinsic Semiconductors1.1.3 Drift and Diffusion Currents1.1.4 Excess Carriers原子结构简化模型Silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide Valence electronsSemiconductor MaterialsProperties(1) 导电能力容易受环境因素影响（温度、光照等）(2) 掺杂可以显著提高导电能力第3页/共59页 41.1.1 Intrinsic Semiconductors本征半导体,纯半导体,无杂质半导体 — single-crystal SiliconAt T=0K：all valence electrons are bound ; no charge flows ? insulator1.1 Semiconductor Materials and PropertiesFig1.2 Covalent bonding structureCovalentbondingValenceelectronCovalent band 价带Conduction band 导带Forbidden Bandgap 禁带隙EgBandgap energySi : Eg=1.1eV;Ge : Eg=0.66eV;Insulator : Eg=3~6eV;1eV=1.6×10-19J第4页/共59页 51.1.1 Intrinsic Semiconductors1.1 Semiconductor Materials and Properties本征激发 GenerationFree electron温度?光照GenerationFree electronValence electronGain energy浓度?导电能力?Empty state, positive charge＋＋空位：带正电荷；靠相邻共价键中的价电子依次充填空位来实现电荷移动。取名为：Hole 空穴 可自由移动的正电荷；温度? ? 载流子浓度?Carrier 载流子: 自由移动带电粒子复合electron-hole recombination －本征激发的逆过程 见1.1.4 Excess Carriers第5页/共59页 61.1.2 Extrinsic Semiconductors1. N型半导体 掺入少量的五价元素磷P2. P型半导体 掺入少量的三价元素硼B 自由电子是多数载流子（简称多子）空穴是少数载流子（简称少子） 空穴是多数载流子自由电子为少数载流子。1.1 Semiconductor Materials and Properties空间电荷第6页/共59页 7 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: ni = pi = 1.5×1010/cm31 本征硅的原子浓度: 5×1022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。