双极型半导体三极管的电流分配与控制.pptxVIP

双极型半导体三极管的电流分配与控制第1页/共20页 2023/4/291.3.1 结构与符号1.3.2 电流的分配与控制1.3.3 伏安特性曲线1.3.4 主要参数 1.3 双极型半导体三极管 半导体三极管有两大类型 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件单极型半导体三极管是仅由多子参与导电的半导体器件第2页/共20页 2023/4/291.3.1结构与符号 双极型三极管的结构如图。它有两种类型:NPN型和PNP型。 第3页/共20页 2023/4/291.3.1结构与符号 双极型三极管的结构如图。它有两种类型:NPN型和PNP型。 e-b间的PN结称为发射结 c-b间的PN结称为集电结 中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示 一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示 另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示第4页/共20页 2023/4/29内部结构特点：发射区的掺杂浓度最大， 基区的掺杂浓度最小。集电区的面积比发射区的面积大， 它们并不对称。基区要制造得很薄， 其厚度一般在几个微米至几十个微米。1.3.1结构与符号？？？第5页/共20页 2023/4/291.3.2 电流分配与控制若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。 从基区向发射区有空穴的扩散运动，形成的电流IEP。 在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 在集电结反偏电压的作用下，进入集电结形成集电极电流ICN。因集电结反偏，使集电区的少子形成漂移电流ICBO。第6页/共20页 2023/4/29 IE= IEN+ IEP 且IENIEP IEN=ICN+ IBN 且IEN IBN ICNIBNIC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB1.3.2 电流分配与控制第7页/共20页 2023/4/29 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 共集电极接法，集电极作为公共电极; 共基极接法，基极作为公共电极。共发射极接法，发射极作为公共电极；三极管的三种组态1.3.2 电流分配与控制第8页/共20页 2023/4/29(2)三极管的共基极电流放大系数发射极电流IE 控制集电极电流IC的关系可以用共基极电流放大系数系数来说明，定义:1.3.2 电流分配与控制第9页/共20页 2023/4/291.3.2 电流分配与控制基极电流IB控制集电极电流IC的关系可以用共射极电流放大系数系数来说明，定义:第10页/共20页 2023/4/291.3.3 伏安特性曲线 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE)? iB=const共发射极接法的电压-电流关系第11页/共20页 2023/4/29(1) 输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。1.3.3 伏安特性曲线当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 第12页/共20页 2023/4/29共发射极接法输出特性曲线（2）输出特性曲线1.3.3 伏安特性曲线如何解释饱和区曲线陡直？如何解释在放大区曲线近似与横轴平行？第13页/共20页 2023/4/29 输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区—iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小， 一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏。 截止区—iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区—iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管) 。1.3