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氮化物基半导体装置以及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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氮化物基半导体装置以及其制造方法.pdf

    氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。形成于高电阻率区与第一III‑V层之间的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582955 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210205706.6 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日 2021.11

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