V薄膜物理与技术序言.pptxVIP

V薄膜物理与技术序言第1页/共23页第2页/共23页二. 薄膜物理 1. 薄膜的各种制备方法及原理 2. 薄膜厚度的测量 3. 薄膜的形成机理、晶体结构、缺陷 4. 薄膜的物理性质三. 薄膜的掺杂、表面处理及离子束改性 1. 离子束与固体相互作用的基础知识 2. 离子注入的损伤效应及退火效应 3. 离子束材料改性 4. 离子注入设备第3页/共23页三部分之间的联系? 大多数薄膜的制备和生长方法都离不开真空条件? 许多重要的薄膜制备（生长）方法采用等离子体及离子束技术? 离子束表面处理、离子注入是薄膜掺杂和改性重要的技术? 等离子体的形成、离子束的产生、注入均需在真空条件下完成第4页/共23页第5页/共23页第一部分 真空科学与技术应用领域：原子能技术、航天、薄膜制备、分析测试电真空器件、微电子、轻工业、日常用品等例：原子能技术各种加速器（串列加速器、正负电子对撞机、慢正电子束）第6页/共23页2. 航天技术：地面模拟实验3. 薄膜制备设备真空蒸发法、MBE、各种CVD，离子溅射、离子镀4. 高级表面分析测试仪XPS、AES、SIMS、SEM、RBS、TEM、质谱分析、核反应分析等5. 微电子材料及器件制备真空微电子器件、半导体器件镀膜、半导体材料制备、a-Si太阳能电池第7页/共23页6. 轻工业、制药业：真空干燥（造纸）、真空包装、去湿（药品、食品、化学药品）、真空浸漆、吸鸡蛋等7. 真空冶金利用真空冶炼获得含气低、氧化少、杂质少的高质钢（如锆、钛、钽、铍莫合金）须在真空中材料熔炼又如：真空冶炼的矽钢片, 磁滞损耗可降低20%8. 日常用品保温瓶、灯泡、日光灯、吸尘器、真空抽血第8页/共23页第一章 真空的基本知识§1. 真空的定义、单位和真空区域的划分真空的定义气体的压强低于一个标准大气压的气态空间一标准大气压：g=980.665 cm/s2\T=273 K时，760mm水银柱高所施加的压强**平衡状态下，气体宏观参量的重要关系式：P=nKT P=压强(Pa)第9页/共23页n=气体分子密度(个/M3)K=波尔兹曼常数(1.38×10-23J/K)So (个/m3)标准状态(273K，760 mmHg): n=2.5×1019个/cm3故真空是相对的，不是什么气体都没有。第10页/共23页2. 真空的单位：帕 (Pa) 1 Pa=1 N/M2=10达因/cm2乇 (torr)mmHgμbar(微巴) or bar1 torr=1 mmHg= 133.3 Pa1 Pa= 0.75×10-2 torr = 10达因/cm21 μbar= 1 达因/cm2 = 0.1 Pa第11页/共23页3. 真空区域的划分(1) 粗真空：1×105 Pa P 1×103 Pa (大约10torr)气体多，气体分子间碰撞频繁，平均自由程很短，用于真空浸漆等(2) 低真空：1×103~ 1×10-1 Pa1016~1013 个/cm3，加电场下会电离、液体沸点大大降低(可用于真空脱水)(3) 高真空： 1×10-1~1×10-6 Pa高真空下蒸发出的材料分子，按直线飞行(4) 超高真空：1×10-6 Pan 1010个/cm3不少高科技器件或材料只能在超高真空下才能获得 第12页/共23页4. 宇宙空间的真空状况(1)海平面：760乇(2)对流层和平流层（100Km高空）以下： 升高15Km，压强下降90% 90Km处约为10-3乇(3)电离层（100~400Km） 升高100 ~200Km压强下降90%(4) 400Km以上： 1000Km 10-10 乇 10万Km 10-13乇第13页/共23页400Km以下： 主要是空气200 ~1000Km：主要是N和O原子，日照强时大部分被电离700 ~1000Km： 有相当数量He1500Km： H，H+和电子组成3000 ~10万Km：高能H+1.5 ~4万Km：高能电子4万Km：中性粒子第14页/共23页 §2.稀薄气体的基本性质1.气体的三种速率表达式 最可几速率：算术平均速率：均方根速率：分布函数：f(Vr) f(Va) f(Vm)但：Vm Va Vr第15页/共23页2.平均自由程 的定义：气体两次碰撞之间所走路程的统计平均值 Z----每秒一个气体分子与其他分子碰撞次数d ----为气体直径第16页/共23页a) 考虑到其它气体分子在运动，及气体速率有一定分布，作如下修正：可见，当气体种类和T一定时0oC时空气d=3.7A，O2：3.6A， Ar：3.7A，水汽：4.7A25oC空气：第17页/共23页b) 离子的平均自由程c) 电子的第18页/共23页d) 蒸汽原子的第19页/共23