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掩埋结构半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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掩埋结构半导体激光器及其制备方法.pdf

    本公开提供了一种掩埋结构半导体激光器，包括：衬底、缓冲层、有源层、盖层、接触层及掩埋层；衬底设于底部，接触层设于顶部，缓冲层、有源层、盖层自下而上设于衬底和接触层之间，两侧被掩埋层掩埋；缓冲层、有源层、盖层均分为激光器区域和模斑转换器区域，激光器区域为矩形区域，模斑转换器区域为以激光器区域的一边为起始宽度向远离激光器区域的方向逐渐收窄的梯形区域；衬底与缓冲层的接触区域被刻蚀与缓冲层形状相同。本公开还提供了该掩埋结构半导体激光器的制备方法。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649745 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210260922.0 (22)申请日 2022.03.16 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 10

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